ZVN3310ASTOB

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中压信号的开关解决方案而困扰？当电路板空间寸土寸金，每一个元器件的选择都关乎最终产品的性能与成本时，ZVN3310ASTOB的出现，正是为应对此类挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和200mA的连续漏极电流能力，在众多同类产品中脱颖而出，成为工程师手中实现高效信号切换与功率控制的秘密武器。

想象一下，在您的智能家居控制器、便携式设备电源管理模块或是工业传感器接口电路中，ZVN3310ASTOB能够轻松胜任。它经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅兼容广泛的生产工艺，其高达625mW的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了从严寒到酷热的各种严苛环境下，都能提供稳定如一的表现。这意味着您的产品能够适应更复杂的应用场景，从室内恒温环境到户外工业现场，性能始终在线。

选择ZVN3310ASTOB，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与极高的性价比。尽管该型号已停产，但其成熟的设计和出色的参数如仅需10V驱动电压即可实现低导通电阻，以及低至40pF的输入电容使其在库存及替代方案中依然保有强大的吸引力。对于许多经典设计的维护、小批量生产或对成本极其敏感的项目而言，它依然是无可替代的优选。为确保您能获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，这不仅是品质的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。

• 型号:ZVN3310ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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还在为电路中的小型负载切换寻找一颗高效、可靠的“开关”吗？ZVN3310ASTOB正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET能为您轻松处理高达100V的电压和200mA的电流，让您在设计电源管理、信号隔离或驱动小型继电器等电路时，获得高效且稳定的控制能力。

它采用经典的TO-92兼容封装，易于焊接和布局，其低至10V的驱动门槛和优秀的开关特性，能让您的系统响应更迅捷，功耗更低。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）意味着它能陪伴您的产品应对各种环境挑战，从消费电子到工业控制，都能提供值得信赖的性能。