DMT10H072LFDF-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内稳定输出、同时保持超低损耗的功率开关而困扰？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMT10H072LFDF-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和4A的连续电流能力，正重新定义着小尺寸功率器件的性能标准。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或智能家居的紧凑电源模块中，空间是何等珍贵。DMT10H072LFDF-13采用的先进U-DFN2020-6封装，面积微小却蕴含着巨大能量。其62毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），意味着电流流过时产生的热量损耗被大幅削减，直接转化为更长的电池续航、更低的温升以及更高的系统可靠性。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流，还是作为负载开关控制电路的通断，它都能确保电能以极高的效率进行传输，让每一分电力都物尽其用。

选择DMT10H072LFDF-13，就是选择了一份从容与高效。它宽泛的驱动电压范围（4.5V至10V）使其能轻松兼容多种控制逻辑，简化您的驱动电路设计。极低的栅极电荷（仅5.1nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，显著降低开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源系统响应更迅捷、运行更安静。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，无论是炎夏还是寒冬，都能稳定如一。

当您致力于打造更节能、更小巧、更可靠的下一代电子产品时，DMT10H072LFDF-13无疑是您值得信赖的伙伴。它的价值不仅体现在优异的参数上，更在于它能帮助您缩短研发周期，加速产品上市。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的合作伙伴DIODES中国代理将为您提供专业、及时的本土化服务。立即体验这颗高效能芯片如何为您的设计注入强大动力，开启能效新纪元！

• 型号:DMT10H072LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:266 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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您正在寻找一颗能兼顾高性能与微型化的功率开关吗？DMT10H072LFDF-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和4A的连续电流能力，其核心魅力在于采用先进的U-DFN2020-6微型封装，却实现了低至62毫欧的导通电阻。这意味着它能在极为有限的空间内，大幅降低导通损耗，直接提升您的终端产品的能效和续航时间。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，显著减少开关过程中的能量损失。无论是用于便携设备的电源管理、电机驱动，还是各种DC-DC转换拓扑，DMT10H072LFDF-13都能让您的系统运行得更凉爽、更高效、更可靠。选择它，就是为您的设计选择了一颗强劲而精巧的“心脏”。