DMN4040SK3-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在40V电压下稳定输出6A电流，同时将导通电阻控制在仅30毫欧的功率器件，将如何彻底改变您的电源方案？这正是DMN4040SK3-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的N沟道MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的得力引擎。

无论是紧凑型DC-DC转换器、高效的电机驱动，还是需要快速响应的负载开关应用，DMN4040SK3-13都能游刃有余。其4.5V的低驱动电压特性，让它可以轻松兼容主流逻辑电平，简化您的驱动电路设计。在电池供电的便携设备中，它的低栅极电荷（仅18.6nC）意味着更快的开关速度和更低的动态损耗，直接延长设备的续航时间。而在工业自动化或汽车电子领域，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-252-3封装，确保了在严苛环境下依然稳定如山，为您的产品保驾护航。

选择DMN4040SK3-13，就是选择了一种经过市场验证的卓越平衡。它在导通电阻、开关性能和成本之间取得了完美平衡，让您无需在性能与预算之间艰难取舍。其表面贴装设计极大简化了生产流程，提升了制造良率。更重要的是，当您通过可靠的DIODES代理商获取这颗芯片时，您获得的不仅是高品质的元器件，更是从技术支援到稳定供货的全方位保障。让DMN4040SK3-13成为您下一个爆款产品的“心脏”，释放前所未有的功率密度与能效表现，在激烈的市场竞争中率先冲过终点线。

• 型号:DMN4040SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:945 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能兼顾高效与可靠的功率开关吗？DMN4040SK3-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和6A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的30毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动运行得更凉快、更高效。

它专为简化您的设计而生。4.5V的低驱动电压让您轻松搭配微控制器，而极低的栅极电荷确保了迅猛的开关响应，全面提升系统动态性能。无论是空间紧张的消费电子，还是环境严苛的工业设备，其TO-252-3封装和宽广的温度适应性都能让您高枕无忧。选择它，就是为您的产品注入了强劲且可靠的动力核心。