ZVN2535ASTOA

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否还在为高压小信号开关的选型而烦恼？当350V的电压平台需要一颗既精准又耐用的“守门员”时，ZVN2535ASTOA的出现，无疑为您提供了一个值得信赖的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达350V的漏源电压和仅为90mA的连续漏极电流，精准定位了那些需要高压隔离、低功耗控制的细分应用场景，让您的设计在高压侧游刃有余。

想象一下，在您的离线式开关电源辅助绕组反馈电路中，或者在需要高压电平转换的工业传感器接口里，ZVN2535ASTOA能够轻松胜任开关角色。它经典的E-Line（TO-92兼容）封装，不仅便于手工焊接和原型验证，其宽达-55°C至150°C的工作结温范围，更能确保设备在严苛环境下稳定运行，无论是炎热的户外机箱还是寒冷的工业现场，性能始终如一。选择它，意味着为您的产品注入了一份来自国际知名品牌的品质基因，而通过正规的DIODES授权代理渠道采购，更是这份可靠性的坚实保障。

为何众多工程师在类似应用中会青睐于它？理由清晰而有力。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值表现优异，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率。仅70pF的输入电容（Ciss）让开关速度更快，响应更迅捷，特别适合需要快速切换的场合。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的验证历史和仍在流通的库存，使其成为许多经典设计升级或维护的优选替代器件。它代表的是一种经过时间考验的稳健方案，能够有效降低您的设计风险与验证成本，让您将精力更集中于系统创新本身。

• 制造商产品型号：ZVN2535ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 350V 90MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：350V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：90mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：70pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• 想获取ZVN2535ASTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭350V高压平台，同时保持精准、低功耗控制的开关器件吗？ZVN2535ASTOA正是为此而生。这颗N沟道MOSFET能高效地为您完成高压侧的信号切换、电平转换或隔离驱动任务，其仅90mA的连续电流和优异的开关特性，让它在小功率辅助电源、传感器接口等应用中表现出色。

它采用经典的TO-92兼容封装，让您的原型设计和生产焊接都变得轻松简单。高达700mW的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作，有效提升您最终产品的耐用性和市场竞争力。