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SBR2U100LP-7的图片

SBR2U100LP-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE SBR 100V 1.5A X1DFN14113
原厂封装:封装:X1-DFN1411-3
优势价格,SBR2U100LP-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SBR2U100LP-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的今天,您是否还在为传统肖特基二极管在高压下的高功耗和发热问题而烦恼?是时候拥抱革新了!我们隆重推出SBR2U100LP-7,一款基于革命性超级势垒整流器(SBR)技术的100V、1.5A整流二极管。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品性能、降低系统损耗、赢得市场竞争力的关键一步。想象一下,在同样的工作条件下,将正向压降带来的能量损耗大幅降低,这意味着更低的温升、更高的可靠性,以及更长的电池续航或更小的散热设计,这一切都从选择这颗卓越的芯片开始。

这颗芯片的应用场景极为广泛,尤其适合那些对效率和空间都极为敏感的领域。在汽车电子领域,无论是LED照明驱动、车身控制模块,还是信息娱乐系统,SBR2U100LP-7凭借其AEC-Q101车规级认证,能够从容应对严苛的振动、高温环境,确保系统稳定运行。在便携式设备、适配器、工业电源以及高效率DC-DC转换器中,其超低的正向压降(仅850mV @ 1.5A)能显著减少功率损耗,将更多能量用于有效输出,而非无谓的发热。这意味着您的产品可以运行得更“冷静”,寿命更长,用户体验自然更上一层楼。

那么,为什么众多领先的设计师都倾向于选择SBR2U100LP-7作为他们的整流解决方案?答案在于其无可比拟的价值组合。首先,它继承了SBR技术的核心优势,在100V的反向电压下实现了媲美肖特基的低Vf,却拥有远优于肖特基的高温性能和可靠性,解决了传统方案的固有短板。其次,其标准恢复速度足以满足绝大多数开关电源应用,同时极低的反向漏电流(仅50A @ 100V)确保了待机功耗的最小化。最后,其紧凑的X1-DFN1411-3表面贴装封装,为您的PCB布局节省了宝贵空间,非常适合高密度设计。要获得如此高性能且稳定的供货,选择可靠的DIODES一级代理至关重要,他们能为您提供正品保障、专业的技术支持和灵活的供应链服务,让您的创新之旅无后顾之忧。选择SBR2U100LP-7,就是选择为您的产品注入高效、可靠与创新的基因。

  • 型号:SBR2U100LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1411-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 100V 1.5A X1DFN14113
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1.5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1.5 A
  • 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 100 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:3-UDFN
  • 供应商器件封装:X1-DFN1411-3
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
  • 想获取SBR2U100LP-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的整流二极管吗?SBR2U100LP-7正是为您而来的解决方案。它采用先进的超级势垒整流器技术,在高达100V的电压和1.5A的电流下,正向压降仅为850mV,这意味着它能显著降低导通损耗,让您的电源设计更高效、发热更少,轻松提升整体能效。

这颗芯片专为严苛环境而生,通过AEC-Q101车规认证,确保在汽车电子等应用中稳定可靠。其标准恢复特性和极低的反向漏电流,让它在开关电源、适配器、便携设备及工业控制中游刃有余。紧凑的3-UDFN封装,更能帮您节省宝贵的电路板空间,实现更高密度的设计。选择SBR2U100LP-7,就是选择让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

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