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MBR10100CS2TR-G1的图片

MBR10100CS2TR-G1

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ARRAY SCHOT 100V 5A TO-263
原厂封装:封装:TO-263
优势价格,MBR10100CS2TR-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MBR10100CS2TR-G1的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为整流环节的损耗和发热问题而烦恼?想象一下,一个关键元件就能显著降低正向压降,将更多电能转化为有效输出,而非无谓的热量。这正是MBR10100CS2TR-G1肖特基二极管阵列为您带来的核心价值。它不仅仅是一个整流器件,更是提升系统整体效率、增强可靠性的能量管理专家。

这款来自Diodes Incorporated的明星产品,以其卓越的100V反向耐压和仅850mV@5A的超低正向压降,在众多应用场景中大放异彩。无论是服务器电源、工业电机驱动,还是新能源领域的太阳能逆变器和车载充电器,它都能在高温、高电流的严苛环境下稳定工作,确保能量转换过程高效且顺畅。其快速的恢复特性(≤500ns)有效减少了开关损耗,特别适合高频开关电源,让您的产品在激烈的市场竞争中凭借更高的效率和更低的温升脱颖而出。

选择MBR10100CS2TR-G1,意味着您选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其TO-263(DPak)封装不仅提供了优异的散热性能,高达150°C的最大结温也赋予了设计更大的余量和更强的环境适应性。对于追求长期稳定性和批量一致性的客户而言,通过可靠的DIODES一级代理渠道进行采购,是保障正品货源和获得专业技术支持的关键。这颗芯片将复杂的整流挑战转化为简单的设计优势,让您能够更专注于核心功能的创新,而非基础器件的性能瓶颈。它代表的是一种设计哲学:用最精悍的元件,释放最强大的系统潜能。

  • 型号:MBR10100CS2TR-G1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-263
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY SCHOT 100V 5A TO-263
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263
  • 想获取MBR10100CS2TR-G1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找能显著提升电源效率的“能量守门员”吗?MBR10100CS2TR-G1正是您理想的答案。这颗双芯片共阴极肖特基二极管阵列,专为高效整流而生,其核心使命就是让您的能量转换过程损耗更低、发热更少。

它凭借高达100V的反向耐压和每二极管5A的平均整流电流,轻松应对严苛的工业环境。最引人注目的是其仅850mV@5A的超低正向压降,这意味着在相同电流下,它能比普通二极管减少大量导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。快速的恢复特性(≤500ns)进一步优化了高频开关性能。

采用坚固的TO-263表面贴装封装,并提供高达150°C的结温,它让您的设计在追求小型化的同时,无需在散热和可靠性上妥协。选择它,就是为您的电源模块选择了一位高效、可靠的能量管理伙伴。

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