ZVN2120A

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为高压小信号开关的选型而反复权衡？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案ZVN2120A。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的耐压能力和精妙的性能平衡，在众多经典设计中持续发光发热，是工程师应对中高压、低电流控制任务的信心之选。

想象一下，在您的智能家居控制器、工业传感器模块或低功耗电源的辅助电路中，ZVN2120A正扮演着关键角色。它能够轻松驾驭高达200V的电压，并以仅180mA的连续漏极电流实现精准的开关控制。其10V的标准驱动电压与广泛兼容的逻辑电平，让您的控制电路设计变得异常简洁，无需复杂的电平转换，直接驱动，响应迅速。TO-92-3的经典封装，不仅便于手工焊接与测试，更以其成熟的工艺确保了在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，为产品的长期可靠性奠定了坚实基础。

选择ZVN2120A，就是选择了一份经过市场验证的安心。尽管它已进入停产状态，但其卓越的性能与极高的性价比，使其在存量市场与特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。它特别适合那些对成本敏感、同时要求高耐压和良好开关特性的应用。当您需要这样一颗可靠、高效的MOSFET时，可以通过专业的DIODES代理商进行咨询与采购，他们能为您提供稳定的货源与专业的技术支持，确保您的项目供应链顺畅无阻。让ZVN2120A成为您经典设计中那个默默奉献、从不掉链子的核心元件，助力您的产品在性能与成本之间找到完美平衡点。

• 型号:ZVN2120A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVN2120A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松搞定200V以下电压开关控制的高性价比MOSFET吗？ZVN2120A正是为您准备的答案。这颗N沟道MOSFET拥有200V的漏源电压（Vdss）和180mA的连续漏极电流，让您能够高效、可靠地控制各种中小功率负载。

它采用经典的TO-92-3通孔封装，易于焊接和测试，10V的标准驱动电压使其能与多数逻辑电路直接对接，极大简化了您的设计。无论是用于电源辅助电路、信号切换还是负载驱动，ZVN2120A都能以稳定的性能和广泛的温度适应性（-55°C ~ 150°C），确保您的系统运行顺畅无虞。