DMN2170U-7

在追求极致效率的电源设计中，您是否曾为寻找一款能在有限空间内稳定输出、同时保持出色能效比的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来的DMN2170U-7，正是为破解这一难题而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其紧凑的SOT-23-3封装，蕴藏着高达2.3A的连续漏极电流和20V的漏源电压能力，为您的小型化设计注入强大动力。其核心魅力在于极低的导通电阻在4.5V驱动下仅70毫欧，这意味着更少的能量损耗在器件本身，更多的功率高效地传递到负载端，直接转化为更长的设备运行时间、更低的温升以及更可靠的整体系统。

想象一下，在您的便携式设备、智能穿戴产品的电源管理模块中，或是DC-DC转换器、电机驱动等需要快速开关控制的场景里，DMN2170U-7都能游刃有余。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从严寒到酷热的各种环境下稳定如一，而低至1.5V的驱动电压门槛，使其能与低电压逻辑电路完美协同，简化您的驱动设计。无论是用于负载开关实现系统的节能待机，还是作为同步整流的关键元件提升转换效率，这颗芯片都能成为您电路板上默默奉献却至关重要的“能量守门员”。

选择DMN2170U-7，不仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种高效可靠的设计哲学。它让您在有限的PCB面积上实现最大的性能输出，有效降低系统热设计难度。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES一级代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源，为您的经典产品或特定项目提供持续保障。让这颗经过市场验证的芯片，成为您优化产品性能、提升市场竞争力的秘密武器，助您的创意在方寸之间，迸发无限能量。

• 型号:DMN2170U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:217 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路板空间紧张而发愁吗？DMN2170U-7这款N沟道MOSFET，就是您小型化、高效能设计的理想答案。它能在紧凑的SOT-23-3封装内，为您提供20V耐压和2.3A的电流处理能力，让您的电源管理或开关电路设计更加游刃有余。

这颗芯片的核心价值在于其出色的效率。极低的导通电阻（典型值70mΩ）意味着更少的导通损耗和更低的发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。其宽广的工作温度范围和较低的驱动电压需求，进一步确保了在各种应用环境下的稳定性和易用性。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、让性能更出众的轻松方案。