ZVN2110GTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现高效开关控制的可靠MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的ZVN2110GTA，正是这样一颗能够完美平衡性能与成本的解决方案。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、优化系统设计的得力助手。

想象一下，在您的电源管理模块中，需要一颗开关迅速、损耗极低的器件来提升整体转换效率；或者在您的电机驱动、负载开关电路中，渴望一个稳定可靠、能耐受100V高压冲击的守护者。ZVN2110GTA凭借其N沟道增强型MOSFET结构，在10V驱动电压下即可实现优异的导通性能，其低至4欧姆的导通电阻（最大值）意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久。高达500mA的连续漏极电流和2W的功率耗散能力，赋予了它驱动多种负载的充沛能量，无论是便携设备中的精密控制，还是工业环境中的稳健应用，它都能轻松应对。

从智能家居的节能控制器，到汽车电子的辅助模块，再到各类消费电子产品的电源路径管理，ZVN2110GTA的应用场景无处不在。其紧凑的SOT-223表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛环境下依然稳定如一，大大增强了终端产品的可靠性和环境适应性。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的品质承诺。

为何众多工程师在需要100V级别、中等电流的MOSFET时会优先考虑ZVN2110GTA？答案在于其卓越的价值体现。它源自Diodes Incorporated的可靠品质，提供了远超其成本的技术指标。相较于市场上同类产品，它在开关速度、导通特性与热性能之间取得了精妙的平衡。当您通过值得信赖的DIODES代理商获取这颗芯片时，您获得的不仅是器件本身，更是完整的技术支持、稳定的供货保障以及让项目快速落地的信心。立即将ZVN2110GTA纳入您的设计，亲身体验它如何以小巧之躯，释放巨大能量，驱动您的创新走向成功。

• 型号:ZVN2110GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN2110GTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的开关控制寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？ZVN2110GTA N沟道MOSFET正是为您而来。它能轻松处理高达100V的电压和500mA的连续电流，凭借仅需10V驱动电压和低至4欧姆的导通电阻，让您的电源开关、电机驱动或负载管理电路实现更低的损耗和更高的能效。

这颗采用紧凑SOT-223封装的芯片，让您能在节省空间的同时，获得强大的2W功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作温度范围。无论是提升现有设计的性能，还是加速新产品的开发，ZVN2110GTA都能以出色的稳定性和性价比，成为您项目中值得信赖的关键元件。