ZVN1409ASTOB

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在微小信号下精准控制、同时耐受高压环境的可靠开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍ZVN1409ASTOB，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为那些要求苛刻的低功耗、高电压应用场景量身定制的解决方案。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统可靠性、简化设计复杂度的得力助手。

想象一下，在您的便携式医疗监测设备中，需要一颗元件来精确管理传感器供电；或者在工业控制模块里，一个信号需要安全地切换更高的电压线路。ZVN1409ASTOB凭借其高达90V的漏源电压（Vdss）和仅10mA的连续漏极电流能力，完美胜任这些角色。它的超低输入电容（仅6.5pF）意味着极快的开关速度和极低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体功耗进一步降低。无论是-55°C的严寒还是150°C的高温（TJ），它都能稳定工作，这种宽温范围的适应性，为您的产品在各种恶劣环境下稳定运行提供了坚实保障。

选择ZVN1409ASTOB，就是选择了一份经过验证的可靠性与极致的性价比。其经典的TO-92兼容封装（E-Line）让它在PCB板上占用空间极小，且便于手工焊接或自动化生产，大大降低了您的制造成本与时间。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和稳定的性能使其在库存市场中依然是许多经典设计或特定需求项目的热门选择。当您需要为关键项目寻找这样一颗性能与成本平衡的MOSFET时，联系专业的DIODES代理商是获取可靠货源和专业选型支持的最佳途径。让ZVN1409ASTOB成为您下一个成功设计中的隐形冠军，以微小的身躯，释放巨大的控制能量。

• 型号:ZVN1409ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 90V 10MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:90 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 欧姆 @ 5mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVN1409ASTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为低电流、高电压的信号切换寻找一颗“听话”又耐用的开关吗？ZVN1409ASTOB正是您需要的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达90V的电压，并以仅10mA的微小电流进行精准的导通与关断控制，特别适合电池供电设备、传感器接口或信号隔离电路等对功耗极其敏感的应用。

它能让您的设计事半功倍。极低的栅极驱动电压要求（典型值2.4V）和微小的输入电容，意味着您可以用更简单的驱动电路实现高速、高效的开关动作，从而简化系统设计，降低整体成本。其坚固的E-Line通孔封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更是为您产品的长期稳定运行提供了坚实保障。