DMN33D8LT-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在为寻找一颗既能稳定驱动小功率负载，又能轻松集成到微型化PCB板上的N沟道MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍DMN33D8LT-7，这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，正是为突破空间与效率的极限而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现精巧、高效电路设计的得力助手。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴电子产品或者那些对空间极其敏感的传感器模块中，每一平方毫米的电路板面积都弥足珍贵。DMN33D8LT-7以其微型的SOT-523封装，几乎不占空间，却能可靠地处理高达30V的电压和115mA的连续电流，完美胜任信号切换、负载驱动或电源管理中的开关角色。其低至2.5V的驱动电压门槛，意味着它能够与大多数低功耗微控制器直接对话，无需复杂的电平转换电路，让您的设计更加简洁，系统唤醒与响应更加迅速。无论是电池供电设备中延长续航的节能开关，还是便携式医疗设备里需要精准控制的信号通路，它都能游刃有余。

选择DMN33D8LT-7，就是选择了一份可靠与高效。它极低的栅极电荷（仅0.55nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，这对于高频应用或追求高效率的DC-DC转换器周边电路至关重要。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应能力，从严寒到酷热，性能始终如一。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，通过专业的DIODES芯片代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得及时的技术支持与供货保障，让您的项目从研发到量产一路畅通。这颗小小的芯片，凝聚了Diodes对品质与创新的坚持，是您打造下一代紧凑型、高性能电子产品的明智之选。

• 型号:DMN33D8LT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 想获取DMN33D8LT-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为微型电路中的高效开关选择而犹豫吗？DMN33D8LT-7就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在仅2.5V的低电压下高效启动，轻松驾驭30V、115mA以内的负载，让您的低功耗微控制系统直接驱动外围电路成为现实，设计从此变得无比简洁。

它采用超紧凑的SOT-523封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，却拥有出色的电气性能。极低的栅极电荷和输入电容保证了快速的开关响应，显著提升系统效率；宽广的-55°C至150°C工作温度范围，则让您的产品无惧严苛环境挑战，稳定可靠。选择它，就是为您的精巧设备注入一颗强劲而高效的心脏。