ZVN0545GTC

当您需要一款能在高压环境下稳定工作、同时保持紧凑设计的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在ZVN0545GTC这颗卓越的N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性与能效的得力助手。凭借高达450V的漏源电压承受能力和精心优化的导通特性，它能在严苛的电气环境中游刃有余，将高压带来的挑战转化为稳定运行的基石，让您的设计从一开始就站在更高的起点上。

想象一下，在那些对空间和效率都极为敏感的场合比如紧凑型开关电源的初级侧开关、各种离线式转换器、或是需要高压小电流切换的工业控制模块中，ZVN0545GTC的价值将得到淋漓尽致的展现。其SOT-223封装在提供出色散热能力的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的产品可以设计得更轻薄、更精巧。无论是提升家用电器待机功耗的表现，还是确保工业传感器供电的稳定，它都能成为电路中那个沉默而可靠的核心。

选择ZVN0545GTC，意味着您选择了一份经过验证的品质与性能保障。它高达2W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品应对极端环境变化的韧性。其10V的标准驱动电压，与主流控制电路完美兼容，大大简化了您的驱动设计。当您与可靠的DIODES芯片代理合作时，您获得的不仅是一颗高性能芯片，更是从技术支援到稳定供应链的全方位支持，让您的创新之路再无后顾之忧，专注于创造更大的市场价值。

• 型号:ZVN0545GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN0545GTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持电路板简洁高效的“核心开关”吗？ZVN0545GTC正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有高达450V的击穿电压和140mA的连续电流能力，让您能在开关电源、离线转换器等高压侧应用中，实现高效、可靠的电能控制与切换。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，不仅节省空间，其2W的功率耗散能力更能确保稳定运行。10V的标准驱动电压让接口设计变得异常简单，而极低的输入电容（仅70pF）则显著提升了开关速度，减少了损耗。选择它，就是为您的产品选择了一份在-55°C至150°C宽温范围内都能从容应对的耐久与高效。