DMN5L06T-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在微小空间内稳定控制功率的开关而烦恼？想象一下，一个仅指尖大小的器件，却能以高达50V的耐压和280mA的连续电流，成为您电路中的可靠“守门员”。这正是DMN5L06T-7带来的核心价值它将高性能与微型化完美融合，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更紧凑的布局和更高效的能源管理脱颖而出。

无论是需要精密电源管理的便携式医疗设备，还是对空间极其苛求的TWS耳机充电仓，或是各类智能传感器模块，DMN5L06T-7都能游刃有余。其N通道MOSFET结构，配合低至1.8V的驱动电压门槛，意味着它能够轻松被微控制器等低功耗逻辑电路直接驱动，极大地简化了您的驱动电路设计。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定性能，确保您的设备无论是在严寒还是酷热的环境中，都能持续可靠地工作。

选择DMN5L06T-7，就是选择了一份经过验证的可靠性与极致的空间利用率。其SOT-523超小型封装，是应对当今电子产品“瘦身”潮流的利器，能帮助您有效缩减PCB面积，为电池或其他功能模块腾出宝贵空间。虽然该型号已停产，但通过可靠的DIODES代理渠道，您依然可以获得稳定库存，保障现有产品线的持续生产与维护。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现产品小型化、高效化、可靠化设计的战略伙伴，以微小的身躯，承载起电路稳定运行的重任，助您将创意无缝转化为市场领先的产品。

• 型号:DMN5L06T-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.7V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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您正在设计需要高效、紧凑电源开关方案的电路吗？DMN5L06T-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松担当起电路中的精密电子开关角色，让您用最低仅1.8V的信号就能可靠控制高达50V、280mA的负载通断。

它采用超小的SOT-523封装，能极大节省您的电路板空间，非常适合嵌入对尺寸有严苛要求的便携设备中。同时，其优异的导通电阻特性有助于减少功率损耗，提升整体能效，让您的产品运行更高效、更持久。