VN10LPSTOB

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款体积小巧、性能可靠且易于驱动的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍VN10LPSTOB，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正以其卓越的平衡性，重新定义小功率应用的设计可能。

想象一下，在您的智能家居传感器、便携式设备或低功耗模块中，需要一个可靠的“电子开关”来控制电源或信号通路。VN10LPSTOB正是为此而生。它高达60V的漏源电压和270mA的连续电流能力，为低压直流电路提供了充足的余量和安全保障。其经典的TO-92兼容封装（E-Line），让您能轻松替换旧有设计或快速进行原型搭建，极大简化了从设计到生产的流程。无论是电池供电设备的电源管理，还是信号链路的隔离切换，它都能稳定、高效地完成任务，让您的产品运行得更安静、更持久。

选择VN10LPSTOB，意味着您选择了一份经过市场验证的可靠性。其仅需5V或10V的低驱动电压即可实现低导通电阻，完美适配现代微控制器（MCU）的GPIO口直接驱动，无需复杂的电平转换电路，这不仅节省了宝贵的PCB空间，更降低了整体系统复杂度和成本。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种苛刻环境下都能稳定工作，从炎热的汽车电子舱到寒冷的户外监测设备，它都是值得信赖的伙伴。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获得有保障的库存，为现有产品的长期维护和生产提供坚实支持。这不仅仅是一颗晶体管，更是您构建高效、紧凑、可靠电子系统的智慧之选。

• 型号:VN10LPSTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3，成型引线
• 想获取VN10LPSTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松被微控制器驾驭的高效开关吗？VN10LPSTOB正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET专为低功率开关应用优化，其60V的耐压和270mA的电流能力，让您能自信地管理各类低压电路的通断。

它最大的魅力在于极致的易用性。仅需5V或10V的低电压驱动，您就能获得优异的导通性能，轻松实现与MCU GPIO口的无缝对接，省去额外驱动电路的烦恼。经典的TO-92兼容封装，让替换和焊接变得异常简单。无论是用于电源路径控制、信号切换还是负载驱动，VN10LPSTOB都能以高效可靠的表现为您的设计保驾护航。