VN10LP

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一颗能在低压下高效驱动、同时兼顾可靠性与成本的小功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案VN10LP。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和广泛的适用性，正重新定义小信号控制与功率切换的边界。

想象一下，在您的智能家居传感器中，它能够以极低的栅极电压（仅需2.5V）精准唤醒电路，实现微安级待机功耗；在便携式设备的电源管理模块里，其60V的漏源电压和270mA的连续电流能力，让电池供电的升降压转换变得稳定又高效。无论是玩具中的电机驱动、LED调光控制，还是工控板上的信号隔离切换，VN10LP都能轻松胜任。它那经典的TO-92-3封装，不仅便于手工焊接与自动化生产，更能无缝融入您现有的PCB布局，节省宝贵的空间。

选择VN10LP，就是选择了一份经得起考验的可靠性。它能在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，625mW的功率耗散能力确保了在持续工作中的耐久性。其5V/10V的低驱动电压特性，意味着您可以直接用微控制器GPIO口驱动，无需复杂的电平转换电路，大大简化了设计，加速了产品上市时间。更值得一提的是，通过值得信赖的DIODES代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持与供货稳定性，让您的供应链高枕无忧。这不仅仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计创新的得力伙伴。

• 型号:VN10LP
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取VN10LP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为小功率开关电路的效率与成本权衡而头疼吗？让VN10LP来为您分忧！这颗N沟道MOSFET是专为高效、低压控制场景而生的能手。它仅需2.5V的阈值电压即可开启，让您能直接用单片机GPIO口轻松驱动，省去额外电路；同时，高达60V的耐压和270mA的连续电流能力，足以稳健地处理各种小功率电机、LED或继电器的开关任务。

它采用经典的TO-92-3通孔封装，坚固耐用，焊接方便。无论是用于电池供电设备的电源路径管理，还是智能传感器中的信号切换，VN10LP都能以出色的性能（低至5欧姆的导通电阻）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的系统运行既高效又可靠。选择它，就是为您的设计注入一份简单而强大的控制力。