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DDTD114EU-7-F的图片

DDTD114EU-7-F

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,DDTD114EU-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DDTD114EU-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致紧凑与高效能的设计中,您是否还在为分立元件的复杂布局和调试而烦恼?现在,一颗集成了偏置电阻的智能晶体管,将彻底改变您的设计思路。这就是DDTD114EU-7-F,它不仅是一个元件,更是您实现简洁、可靠电路方案的得力助手。

想象一下,在您的便携设备、智能传感器模块或紧凑型电源管理单元中,空间是何等珍贵。这颗来自Diodes Incorporated的预偏置NPN晶体管,以其SOT-323的超小封装和仅200mW的功耗,完美契合了现代电子设备对微型化的苛刻要求。它内部集成了精密的10kΩ基极和发射极电阻,这意味着您无需再为外部分立电阻的选型、布局和额外成本而费心,直接简化了BOM清单,让您的PCB布局更加清爽,生产流程更加高效。选择可靠的DIODES授权代理,正是确保您能稳定获得这颗高品质芯片,保障项目顺利推进的关键一步。

它的价值远不止于简化设计。高达50V的集射极击穿电压和500mA的集电极电流能力,赋予了它驱动小型继电器、LED阵列或作为信号放大开关的强劲实力。在5V电压、50mA电流下,其直流电流增益(hFE)最小值仍能稳定在56,确保了信号放大的一致性和可靠性;而低至300mV的饱和压降,则显著减少了导通时的功率损耗,提升了整体能效。无论是用于消费电子的IO口扩展、工业控制中的电平转换,还是物联网设备的低功耗开关,DDTD114EU-7-F都能以稳定的性能和极简的占用空间,成为您设计中那个“默默奉献却至关重要”的核心角色。

当您需要在性能、尺寸和成本之间寻找最佳平衡点时,选型理由变得无比清晰。这颗芯片将多个分立元件的功能浓缩于一体,不仅节省了宝贵的电路板空间,更通过减少焊点数量提升了系统的长期可靠性。其200MHz的跃迁频率,足以应对大多数中低速开关与放大应用,确保信号响应的敏捷与准确。选择DDTD114EU-7-F,就是选择了一种更智能、更经济的工程哲学用高度集成的解决方案,释放您的创造力,让您能够更专注于产品核心功能的创新与优化,从而在激烈的市场竞争中快人一步。

  • 型号:DDTD114EU-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取DDTD114EU-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗?DDTD114EU-7-F正是为您解忧的利器。这颗预偏置NPN晶体管,内部集成了精准的电阻网络,能直接替换传统分立“晶体管+电阻”的组合,让您轻松省去外部元件的选型和布局烦恼,瞬间简化您的设计。

它能让您的设计高效运转。凭借50V的耐压和500mA的电流驱动能力,它可以稳健地承担起信号放大、电平转换或驱动小型负载的重任。其低饱和压降特性,意味着更少的能量损耗和更优的能效表现。无论是用于便携设备的IO接口,还是智能家居模块的控制开关,它都能以SOT-323的极小身躯,提供稳定可靠的性能支持,助您打造出更紧凑、更可靠的产品。

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