VN10LFTC

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否曾为寻找一颗既能承受60V高压、又能轻松集成于微型电路中的可靠开关而烦恼？现在，答案就在眼前VN10LFTC，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为突破空间与性能限制而生的精巧解决方案。它虽已停产，但其卓越的设计与稳定的库存，使其成为经典项目升级与特定领域应用的珍贵选择，持续散发着不可替代的价值光芒。

想象一下，在那些对体积极其苛刻的应用场景中，比如便携式医疗监测设备、高精度传感器模块、或是各类电池管理系统的保护电路中，每一平方毫米的PCB空间都弥足珍贵。VN10LFTC凭借其微小的SOT-23-3封装，能够轻松嵌入其中，默默承担起关键的信号切换或负载控制任务。其60V的漏源电压耐压值，为电路提供了宽裕的安全余量，确保在电压波动时依然稳定如山；而仅需5V或10V的低驱动电压即可实现高效导通，大大简化了驱动电路设计，让您的系统整体功耗更低，响应更迅捷。

选择VN10LFTC，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一种经过市场验证的可靠性与设计自由度。它能在-55°C至150°C的严酷温度范围内稳定工作，适应从工业到消费电子的各种环境挑战。对于仍在维护或生产经典设计的工程师而言，这颗芯片意味着设计的延续与品质的保障。当您需要获取这颗经典器件或咨询其替代方案时，专业的DIODES代理商将是您最可靠的伙伴，他们能提供精准的库存信息与技术支持，确保您的供应链顺畅无阻。让VN10LFTC以它历经考验的卓越性能，继续为您的新创意或旧系统注入稳定可靠的核心动力。

• 型号:VN10LFTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭60V电压、却只需微小空间的高效开关吗？VN10LFTC正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有150mA的连续漏极电流能力，能以低至5V的驱动电压迅速响应，其最大仅5欧姆的导通电阻，确保信号或功率传输过程中的损耗降至最低，让您的电路运行更加高效、冷静。

它采用经典的SOT-23-3表面贴装封装，极其节省PCB空间，非常适合集成到便携设备、传感器接口或电池保护等紧凑型应用中。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）让它无惧严苛环境挑战，提供持久稳定的性能。选择VN10LFTC，就是为您的设计选择了一颗经过时间考验的、可靠而精巧的“心脏”。