DMPH6050SPD-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理系统是否还在为散热、空间和可靠性而妥协？想象一下，一颗集双通道、高电流与卓越热性能于一身的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在DMPH6050SPD-13。这款来自Diodes Incorporated的汽车级双P沟道MOSFET阵列，以其高达26A的连续漏极电流和仅为48毫欧的超低导通电阻，为您带来前所未有的功率密度与效率提升。它不仅仅是一个开关，更是您实现系统小型化、轻量化与高性能化的核心引擎。

无论是新能源汽车的电池管理系统、车载充电器，还是工业自动化中的电机驱动与负载开关，DMPH6050SPD-13都能游刃有余。其坚固的PowerDI5060-8封装，专为高功率密度和卓越散热而设计，确保在-55°C至175°C的严苛结温范围内稳定运行，完全满足AEC-Q101汽车级认证的可靠性要求。这意味着，在引擎盖下高温震荡的环境中，或在24小时不间断运行的工业设备里，它都能提供持久可靠的性能保障，大幅降低系统故障风险，让您的终端产品赢得市场与用户的深度信任。

选择DMPH6050SPD-13，就是选择了一份面向未来的设计保障。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接有助于延长电池续航或降低整体能耗。双通道集成设计更节省了宝贵的PCB空间，简化了布局布线，加速您的产品上市进程。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，通过值得信赖的DIODES中国代理获取这颗芯片，不仅能获得正品保障与技术支持，更能确保供应链的稳定与顺畅，让您的创新之旅再无后顾之忧。立即行动，让DMPH6050SPD-13成为您下一个明星产品的强大心脏。

• 型号:DMPH6050SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1525pF @ 30V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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还在为复杂的双路负载开关设计而烦恼吗？DMPH6050SPD-13为您提供一站式的高效解决方案。这颗双P沟道MOSFET阵列，集成了两个高性能的开关通道，让您轻松实现紧凑的电路布局，同时凭借26A的高电流处理能力和低至48毫欧的导通电阻，确保功率传输过程中的损耗降至最低，系统运行更凉爽、更持久。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热性能出众，并能承受高达175°C的结温，完全符合汽车级AEC-Q101标准，可靠性毋庸置疑。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载切换，它都能让您的设计更加稳健高效，助您快速打造出更具市场竞争力的产品。