SBR660CTLQ-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为整流环节的损耗和发热问题而妥协？当传统的肖特基二极管在高温下性能急剧下降时，SBR660CTLQ-13的出现，为您带来了颠覆性的解决方案。它不仅仅是一颗二极管阵列，更是效率与可靠性的代名词，专为应对严苛应用环境而生，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在紧凑的服务器电源模块、高密度的车载充电器或是要求严苛的工业电机驱动中，每一瓦的损耗都意味着额外的散热成本和潜在的性能瓶颈。SBR660CTLQ-13凭借其创新的超级势垒整流器技术，将正向压降低至惊人的570mV@3A，这意味着在相同工作电流下，它能显著减少导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。其60V的反向耐压和高达150°C的结温工作能力，确保了即使在最恶劣的工况下也能稳定运行，为您的设计提供了宽广的安全边际和长久的使用寿命。

选择SBR660CTLQ-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用行业标准的TO-252封装，便于布局和散热管理，其1对共阴极的配置简化了电路设计，特别适合需要同步整流或桥式结构的应用。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES芯片代理渠道，您依然可以获取高质量的库存，为现有产品的维护和升级提供坚实保障。这颗芯片的价值在于，它用卓越的性能参数告诉您，高效率与高可靠性可以兼得，它能帮助您打造出温度更低、能效更高、运行更安静的产品，从而赢得终端用户的深度信赖。

• 型号:SBR660CTLQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 60V 3A TO-252-3
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 3 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 60 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 想获取SBR660CTLQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时又能承受高温考验的整流解决方案？SBR660CTLQ-13正是为此而生。它集成了Diodes先进的超级势垒整流技术，能以仅570mV的超低正向压降通过3A电流，大幅降低导通损耗和发热，让您的电源模块、电机驱动或充电设备运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用坚固的TO-252表面贴装封装，支持高达150°C的结温，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。其60V的反向耐压和共阴极阵列设计，让您能够轻松应对各种整流和续流应用，简化电路布局，是追求高性能与高可靠性的工程师的理想选择。