DMTH32M5LPSQ-13

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为系统损耗而烦恼？当每一瓦的功率都关乎产品成败，选择一颗真正高效的功率开关至关重要。今天，我们向您隆重介绍一款重新定义30V级别功率密度的标杆产品DMTH32M5LPSQ-13。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您释放系统潜能、打造竞争优势的钥匙。

想象一下，在170A的连续电流下，导通电阻低至惊人的2.2毫欧，这意味着在您的高电流应用无论是服务器电源的同步整流、电动工具的无刷电机驱动，还是汽车电子中的负载开关中，由导通带来的损耗将被压缩到前所未有的低水平。更低的损耗直接转化为更低的温升、更高的可靠性，以及更长的系统运行时间。其卓越的栅极电荷（Qg）特性，确保了快速、干净的开关动作，让您在追求高频高效的设计中游刃有余，轻松应对严苛的开关频率挑战。

这颗芯片的价值，在真实的应用场景中熠熠生辉。在数据中心，它助力48V转12V的DC-DC转换器实现超过98%的峰值效率，为云计算提供更绿色、更冷静的动力心脏。在蓬勃发展的新能源汽车领域，作为符合AEC-Q101标准的车规级产品，它能从容应对车身控制模块、LED驱动或辅助电源中的瞬态冲击，在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，为安全出行保驾护航。对于工业自动化设备，其强大的电流处理能力和坚固的PowerDI5060-8封装，确保了在振动、高温等恶劣环境下依然性能如一，是工程师构建耐用系统的信心之选。

那么，为何众多领先企业将DMTH32M5LPSQ-13作为首选？答案在于它带来的综合价值飞跃。选型它，意味着您选择了极致的功率密度与能效比，在更小的空间内实现更大的功率输出；意味着您选择了经过汽车级认证的卓越可靠性，大幅降低现场故障风险，提升品牌声誉；更意味着您选择了一个值得信赖的伙伴来自Diodes Incorporated的尖端技术与品质承诺。当您需要稳定可靠的供应与专业的技术支持时，遍布全球的DIODES代理商网络随时准备为您服务。立即采用DMTH32M5LPSQ-13，不仅仅是升级一个元件，更是为您的下一代产品注入高性能、高可靠的基因，在激烈的市场竞争中抢占先机。

• 型号:DMTH32M5LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3944 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMTH32M5LPSQ-13正是为您的高性能应用量身打造。它拥有高达170A的连续电流处理能力和低至2.2毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

这颗采用先进PowerDI5060-8封装的N沟道MOSFET，具备优异的开关特性（Qg仅68nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）。它不仅能轻松应对高频开关的挑战，提升整体能效，其符合AEC-Q101的车规级品质，更赋予了它卓越的可靠性与耐久性，让您在汽车电子、工业控制等要求严苛的应用中信心十足。