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SBR2U60S1FQ-7的图片

SBR2U60S1FQ-7

DIODES图标
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE SBR 60V 2A SOD123F
原厂封装:封装:SOD-123F
优势价格,SBR2U60S1FQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SBR2U60S1FQ-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为传统肖特基二极管的正向压降和反向恢复损耗而烦恼?想象一下,一个关键位置的整流元件,能将系统整体效率提升一个百分点,这意味着更长的续航、更低的温升和更可靠的产品表现。这正是SBR2U60S1FQ-7超级势垒整流器(SBR)为您带来的核心价值。它不仅仅是一个二极管,更是您提升产品竞争力的效率引擎。

这款来自Diodes Incorporated的明星产品,凭借其创新的超级势垒技术,在2A电流下仅产生510mV的超低正向压降,远低于同类标准肖特基二极管。这意味着在相同的负载条件下,它能显著减少导通损耗,将更多电能高效地输送给负载,而非转化为无用的热量。其60V的反向耐压和极低的反向漏电流(仅150A @ 60V),确保了在严苛的开关电源环境中也能稳定工作,为系统提供坚固的守护。无论是车载充电器、DC-DC转换模块,还是各类适配器和工业电源,SBR2U60S1FQ-7都能无缝融入,成为提升整机效率的“隐形冠军”。

选择它,就是选择了一种更智能的设计哲学。您无需在效率、体积和可靠性之间艰难取舍。SOD-123F的紧凑封装完美适配高密度PCB布局,让您的设计更加精巧。其符合汽车级AEC-Q101标准的质量认证,更是为产品注入了应对振动、高温等恶劣环境的“强心剂”,特别适合日益增长的汽车电子与高可靠性工业应用需求。当您致力于打造下一款爆品时,一个可靠的供应链伙伴至关重要,通过专业的DIODES代理,您不仅能获得正品保障与技术支持,还能确保这颗高效能芯片的稳定供应,让您的产品从研发到量产一路畅通。让SBR2U60S1FQ-7成为您电路中的效率基石,它将用卓越的性能证明,细节处的精进,正是拉开产品差距的关键所在。

  • 型号:SBR2U60S1FQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123F
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 60V 2A SOD123F
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):2A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 2 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):11 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 A @ 60 V
  • 不同Vr、F 时电容:75pF @ 10V,1MHz
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123F
  • 供应商器件封装:SOD-123F
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
  • 想获取SBR2U60S1FQ-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的整流解决方案吗?SBR2U60S1FQ-7正是为您而来的答案。它采用先进的超级势垒整流(SBR)技术,在2A额定电流下实现仅510mV的超低正向压降,能显著降低电源模块的导通损耗,直接提升系统整体能效,让您的产品运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能轻松胜任60V/2A的整流任务,其极低的反向漏电和优化的电容特性,确保了在高速开关应用中依然稳定可靠。采用紧凑的SOD-123F表面贴装封装,为您节省宝贵的PCB空间。更重要的是,它符合汽车级AEC-Q101标准,让您在设计汽车电子、工业电源或高端消费类产品时,拥有坚实的质量后盾,轻松应对严苛环境挑战。

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