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ZVN1409ASTZ的图片

ZVN1409ASTZ

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET N-CH 90V 10MA E-LINE
原厂封装:封装:E-Line(TO-92 兼容)
优势价格,ZVN1409ASTZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZVN1409ASTZ的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的电子设计中,您是否曾为寻找一款能在低电流、高电压场景下稳定可靠工作的开关元件而烦恼?今天,我们为您带来一个经久考验的解决方案ZVN1409ASTZ。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,以其90V的耐压能力和精准的微安级驱动特性,在众多需要精密信号切换或高压隔离控制的领域持续发光发热,即使处于停产状态,其卓越的性能和广泛的应用验证,依然使其成为特定存量项目或经典设计升级的可靠之选。

想象一下,在您的仪器仪表内部,一个微弱的信号需要被准确无误地路由或隔离;或者在一个高压监测电路中,需要一个极其省电的电子开关来周期性地唤醒系统。ZVN1409ASTZ正是为此而生。它10mA的连续漏极电流和低至2.4V的栅极阈值电压,意味着它可以用极低的控制功耗,轻松驾驭高达90V的电压环境。其经典的E-Line(TO-92兼容)通孔封装,不仅便于手工焊接和原型验证,更以其坚固耐用的物理特性,确保了在工业温度范围(-55°C ~ 150°C)内的长期稳定运行。无论是老式通信设备的维护、精密测量仪器的信号链设计,还是需要高压小电流开关的各类控制板,它都能无缝融入,成为电路中那个沉默而可靠的关键节点。

选择ZVN1409ASTZ,不仅仅是选择了一个元器件,更是选择了一份经过时间淬炼的安心。它高达625mW的功率耗散能力,为设计提供了充裕的余量;仅6.5pF的极低输入电容,确保了高速开关下的快速响应,几乎不引入额外延迟。对于那些仍在运行经典设计、寻求直接替换或进行小批量特色产品开发的工程师而言,这颗芯片的价值不言而喻。当然,要获取这样高品质且来源可靠的元器件,选择值得信赖的合作伙伴至关重要。我们作为专业的DIODES中国代理,致力于为您提供正品保障与稳定的供货支持,让您的设计之旅没有后顾之忧。让ZVN1409ASTZ以其历久弥新的性能,助您的项目在稳定与效率之间找到完美平衡。

  • 型号:ZVN1409ASTZ
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 90V 10MA E-LINE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):90 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):250 欧姆 @ 5mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6.5 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 封装/外壳:E-Line-3
  • 想获取ZVN1409ASTZ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压、微电流电路中的开关选择而犹豫吗?让ZVN1409ASTZ为您提供清晰高效的答案!这颗N沟道MOSFET是专为精密控制而生的能手,它能以最低仅2.4V的驱动电压,轻松驾驭高达90V的电压环境,实现精准的信号通断与隔离,让您的仪器仪表、传感器接口或高压侧开关电路设计变得异常简洁。

得益于其仅10mA的连续漏极电流和极低的栅极电荷需求,它能帮助您大幅降低系统的整体功耗,特别适合电池供电或对能效有苛刻要求的应用。经典的TO-92兼容封装,让您的原型制作与生产焊接都轻松便捷。选择它,就是为您的产品选择了一份经受过市场长期验证的可靠性与高效能。

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