SBR20A200CTB

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为整流环节的损耗和发热问题而妥协？是时候告别传统肖特基二极管的高温困扰了。我们隆重向您介绍SBR20A200CTB，这颗基于Diodes Incorporated革命性SBR（超级势垒整流器）技术的芯片，将为您带来前所未有的高效率与低温升体验。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键利器。

想象一下，在服务器电源、通信基站电源、工业电机驱动乃至新能源车载充电机（OBC）等严苛的应用场景中，系统需要持续稳定地处理高功率。传统方案往往伴随着可观的能量损耗和散热挑战，而SBR20A200CTB凭借其超低的正向压降（仅960mV @ 20A）和极快的反向恢复时间（30ns），能显著降低导通损耗和开关损耗。这意味着，在相同的输出功率下，您的设备运行温度更低，可靠性更高，系统整体能效得以大幅提升，轻松满足日益严苛的能效标准。

选择SBR20A200CTB，就是选择了一份安心与卓越。其200V的反向耐压和10A的持续整流电流能力，为您的设计提供了宽裕的安全余量。TO-263（DPak）的经典封装，兼顾了优异的散热性能和自动化生产的便利性。更宽广的工作结温范围（-65°C至175°C）确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。当您致力于打造更高效、更紧凑、更可靠的下一代电源产品时，这颗芯片就是您不可或缺的伙伴。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的合作伙伴专业的DIODES中国代理将为您提供全程服务，助力您的创意快速落地。

• 型号:SBR20A200CTB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263AB（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 200V 10A TO263AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):960 mV @ 20 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):30 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 200 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？SBR20A200CTB超级势垒整流器阵列，正是为您破解这一难题而生。它采用先进的SBR技术，能为您带来低至960mV的超低正向压降和仅30ns的极速反向恢复时间，让您在处理高达10A电流、200V电压的整流应用时，轻松实现更低的能量损耗和更少的发热。

这颗芯片采用1对共阴极配置，集成于坚固的DPak表面贴装封装内，让您的设计更加紧凑高效。其宽广的-65°C至175°C工作结温范围，确保了在各种严苛环境下的稳定性和长寿命。选择它，就是为您的服务器电源、工业驱动或新能源设备，注入一颗强劲而高效的“心脏”。