SBR20A100CTE

在追求极致能效的今天，您是否还在为传统肖特基二极管在高压应用中的高损耗和温升问题而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出采用革命性超级势垒整流（SBR）技术的SBR20A100CTE，它不仅重新定义了100V、10A级别整流器的性能标准，更为您的电源设计注入前所未有的高效与可靠基因。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，每一瓦的损耗都意味着成本的增加和系统可靠性的挑战。SBR20A100CTE正是为此而生。其核心优势在于极低的正向压降在10A的满载电流下，正向压降仅为750mV。这个数字远低于同规格的传统肖特基二极管，意味着在相同的输出功率下，它能显著减少导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。更低的损耗直接带来了更低的温升和更高的系统效率，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

这款芯片的应用场景广泛而深入。无论是通信基础设施中要求严苛的AC-DC前端整流，还是光伏逆变器中的DC-DC转换环节，甚至是不断电系统（UPS）和电动工具的高频开关电源，SBR20A100CTE都能游刃有余。其1对共阴极的阵列设计，简化了PCB布局，节省了宝贵的空间。宽广的结温工作范围（-65°C至175°C）确保了它在极端环境下依然稳定运行，赋予终端产品强大的环境适应性和超长的使用寿命。选择它，就是为您的电源系统选择了一位沉默而强大的效能守护者。

那么，为什么SBR20A100CTE是您不容错过的选择？首先，它代表了Diodes Incorporated在功率半导体领域的前沿技术结晶，SBR技术完美平衡了低VF和软恢复特性，在提升效率的同时，有效降低了电磁干扰（EMI）。其次，TO-262封装提供了优异的散热能力，让芯片的性能得以充分发挥。最重要的是，通过正规的DIODES授权代理渠道，您不仅能获得100%原装正品保障，还能得到专业的技术支持和供应链服务，让您的产品开发与量产之路更加顺畅。立即采用SBR20A100CTE，开启高效、可靠、节能的电源设计新篇章，让您的产品赢在起跑线上！

• 型号:SBR20A100CTE
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 100V 10A TO-262
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 10 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 供应商器件封装:TO-262
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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、低发热和高可靠性的100V整流方案吗？SBR20A100CTE就是您的理想答案。这颗基于超级势垒整流（SBR）技术的双二极管阵列，专为 demanding 应用而设计，旨在让您的电源系统运行得更冷静、更高效。

它能在高达10A的电流下，将正向压降牢牢控制在极低的750mV，显著降低导通损耗和温升，直接提升系统整体能效。其坚固的TO-262封装和宽广的-65°C至175°C工作结温范围，确保它在工业电源、通信设备或汽车应用等严苛环境中稳定工作，大幅延长产品寿命。选择SBR20A100CTE，就是选择用尖端技术轻松化解功率损耗难题，为您的设计注入强劲可靠的动力核心。