DMN2501UFB4-7

在追求极致小型化的电子设计领域，您是否还在为如何在有限空间内实现高效、可靠的功率开关而烦恼？现在，答案来了。让我们向您隆重介绍DMN2501UFB4-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其微型化的X2-DFN1006-3封装和卓越性能，重新定义了空间受限应用的功率管理标准。它不仅仅是一个晶体管，更是您将创意转化为紧凑、强劲产品的关键赋能者。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴产品或超薄型消费电子中，每一平方毫米的PCB空间都价值连城。DMN2501UFB4-7正是为此而生。其超小的占板面积让您能够从容布局，将更多功能集成到更小的体积内。无论是智能手机中的负载开关、便携式设备的电源管理，还是物联网传感器模块的精准控制，它都能以高达1A的连续漏极电流和仅20V的漏源电压，提供稳定而高效的开关动作。其低至400毫欧的导通电阻（在4.5V Vgs下）意味着更低的功率损耗和更长的电池续航，直接提升了终端产品的用户体验和市场竞争力。

选择DMN2501UFB4-7，就是选择了一份安心与高效。它支持低至1.8V的驱动电压，完美兼容现代低电压逻辑电路，让您的系统设计更加简化。极低的栅极电荷（仅2nC）和输入电容（82pF）确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，提升了整体系统效率。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它出色的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定运行。当您需要可靠的原厂品质和稳定的供货渠道时，选择专业的DIODES芯片代理至关重要，它能确保您获得正品支持与及时的技术服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。

总而言之，DMN2501UFB4-7是工程师应对空间与能效双重挑战的智慧之选。它将高性能、高可靠性浓缩于微型封装之中，为您的新一代电子产品注入强大的核心动力。立即采用它，开启您产品小型化与高性能兼备的新篇章。

• 型号:DMN2501UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:82 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关芯片吗？DMN2501UFB4-7正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET能在您紧凑的电路板空间内，轻松实现高达1A电流的高效切换与控制。

它为您带来的核心价值是“以小搏大”。凭借仅1.8V的低驱动门槛和400毫欧的低导通电阻，它能显著降低系统功耗，延长电池寿命。同时，超快的开关响应让您的设备运行更迅捷。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是作为精密电路中的信号开关，它都能让您的设计更高效、更可靠。