SBR10200CTB-13-G

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为整流环节的损耗和发热问题而妥协？当传统肖特基二极管在高压应用中显得力不从心，效率瓶颈日益凸显，是时候拥抱一次技术革新了。我们隆重向您介绍SBR10200CTB-13-G，这款基于革命性超级势垒整流器（SBR）技术的芯片，正是为打破常规、重塑高效标准而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、通信基站电源、工业电机驱动乃至新能源车载充电器（OBC）等严苛的应用场景中，效率每提升一个百分点都意味着可观的能源节约和更小的散热负担。SBR10200CTB-13-G凭借其高达200V的反向耐压和5A的持续整流能力，轻松应对这些高压大电流的挑战。其核心魅力在于超低的正向压降仅920mV @ 5A，这远低于同规格的传统快恢复二极管，直接转化为更低的导通损耗和更凉爽的运行温度。同时，快如闪电的20ns反向恢复时间，能显著降低开关噪声和EMI，让您的系统运行更安静、更稳定，轻松满足日益严苛的能效法规。

选择SBR10200CTB-13-G，就是选择了一份面向未来的可靠性保障。其坚固的DPak封装和宽达-65°C至175°C的结温工作范围，确保了它在最恶劣的环境下也能稳定工作。共阴极的阵列配置为电路设计提供了极大的灵活性，简化布局，节省宝贵的PCB空间。当您致力于打造高效、紧凑且可靠的电源解决方案时，这颗芯片将成为您最得力的伙伴。我们作为专业的DIODES芯片代理，不仅为您提供这颗性能卓越的芯片，更愿成为您技术道路上的支持者，帮助您将创新想法转化为市场领先的产品。

• 型号:SBR10200CTB-13-G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263AB（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 200V 5A TO263AB
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 5 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):20 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 200 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？SBR10200CTB-13-G超级势垒整流器芯片，正是您提升系统能效的终极答案。它集200V高压耐受与5A大电流整流能力于一身，却拥有惊人的低至920mV的正向压降，能大幅降低导通损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

这颗芯片采用先进的SBR技术，具备快至20ns的反向恢复速度，能有效抑制开关噪声，提升系统稳定性。其坚固的DPak表面贴装封装和宽广的工作温度范围（-65°C ~ 175°C），确保它在各种严苛环境下都能可靠运行。选择它，就是为您的电源设计注入高效与可靠的基因，让您轻松应对能效挑战，打造更具市场竞争力的产品。