DMP3068L-13

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效电源管理时，是否曾为寻找一颗兼具高性能与高可靠性的P沟道MOSFET而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMP3068L-13，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，将以其卓越的电气性能和微小的封装尺寸，彻底改变您对功率开关器件的认知。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或负载开关电路中，一颗芯片就能轻松承载3.3A的连续电流，并从容应对高达30V的电压。这正是DMP3068L-13带来的核心价值。它采用先进的MOSFET技术，在仅1.8V的低驱动电压下即可实现优异的导通特性，其导通电阻低至72毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接为您的产品带来更长的续航时间和更低的发热量。无论是智能手机、平板电脑的电源路径管理，还是无人机、电动工具中的电池保护，它都能游刃有余，确保系统稳定可靠地运行。

选择DMP3068L-13，就是选择了一份从容与安心。其SOT-23的超小型封装，为寸土寸金的PCB布局提供了极大的灵活性，让您的设计可以更加紧凑、精巧。同时，它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），能够适应从消费电子到工业控制的多种苛刻环境。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、优化系统性能的战略伙伴。我们作为专业的DIODES一级代理，不仅确保您能获得稳定、正品的货源，更能提供及时的技术支持与选型服务，助您将这颗芯片的潜力发挥到极致。从原型设计到量产爬坡，让DMP3068L-13成为您项目中值得信赖的基石，共同开启高效、可靠的电源管理新篇章。

• 型号:DMP3068L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:708 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电源开关的效率与尺寸发愁吗？DMP3068L-13正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET能在仅1.8V的低电压下高效驱动，轻松处理高达3.3A的电流和30V的电压，其超低的72毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用微型SOT-23封装，能完美融入您紧凑的电路板设计，无论是空间受限的便携设备还是高密度的主板布局，都能应对自如。宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下的稳定表现。选择它，就是选择了一种让设计更简单、让产品更高效、让您更安心的智能电源管理方式。