MUR120-T

在追求极致效率的电子设计领域，您是否还在为电源转换中的能量损耗和开关噪声而烦恼？想象一下，一个关键元件能将反向恢复时间缩短至惊人的25纳秒，将正向压降控制在仅875mV，这不仅仅是参数的提升，更是系统性能的一次飞跃。这正是MUR120-T为您带来的核心价值一款专为高效、可靠应用而生的200V/1A快速恢复整流二极管。

当您的设计涉及开关电源、高频逆变器或需要高效续流的场合时，MUR120-T的优势便展露无遗。其快速恢复特性（≤500ns）能显著降低开关损耗和电磁干扰，让您的电源模块运行得更安静、更凉爽。高达200V的反向耐压和仅2A@200V的超低反向漏电流，为系统提供了坚固的安全屏障和极低的待机功耗，无论是消费类电源适配器、工业控制板还是LED驱动，它都能轻松融入，成为提升整体能效的幕后功臣。

选择MUR120-T，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。它采用经典的DO-41轴向封装，兼容性强，便于生产和维修。尽管该型号已停产，但通过可靠的DIODES一级代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源，确保项目供应链的连续性。这颗芯片以其卓越的快速恢复性能、稳健的电气参数和广泛的适用性，为您提供了一个以经典成熟方案应对现代效率挑战的智慧之选。让它为您的下一个设计注入高效与稳定的基因，见证系统性能的显著提升。

• 型号:MUR120-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-41
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STANDARD 200V 1A DO41
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):25 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 200 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向
• 供应商器件封装:DO-41
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
• 想获取MUR120-T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能兼顾效率与可靠性的整流核心吗？MUR120-T正是您的理想答案。这颗200V/1A的快速恢复整流二极管，拥有仅25ns的超快反向恢复时间，能大幅削减开关电源中的切换损耗和噪声，让您的电源设计运行得更高效、更安静。

它凭借875mV@1A的低正向压降，有效减少了导通时的能量浪费，同时其高达200V的耐压和极低的反向漏电流，为您系统的稳定与安全保驾护航。无论是升级现有产品还是开发新项目，MUR120-T都能让您轻松实现更高的能效目标和更可靠的产品性能。