ZVNL110GTC

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个电源管理或信号切换方案，是否还在为性能与空间的平衡而烦恼？想象一下，一颗仅需5V驱动电压即可高效导通，在100V高压下依然稳定可靠的N沟道MOSFET，能为您的设计带来怎样的变革？这正是ZVNL110GTC为您呈现的答案。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计精简化的得力助手。

无论是需要高效功率转换的便携式设备电源模块，还是对信号完整性要求严苛的通信接口切换电路，ZVNL110GTC都能游刃有余。其100V的漏源电压耐压值，为您的设计提供了宽裕的安全边际，有效应对电压尖峰和浪涌冲击。而600mA的连续漏极电流能力，配合低至3欧姆的导通电阻，意味着更低的导通损耗和发热，直接提升了系统的整体能效和可靠性。在-55°C至150°C的广阔工作温度范围内，它都能保持稳定性能，让您的产品从容应对从严寒到酷热的各类应用环境，无论是工业控制、汽车电子还是消费类产品，都能找到它的用武之地。

选择ZVNL110GTC，就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其SOT-223的紧凑封装，在节省宝贵PCB空间的同时，也提供了优于更小封装的热性能，1.1W的功率耗散能力让散热设计更为轻松。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的参数依然是许多经典和特定应用场景下的优选。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购，他们不仅能提供正品保障，还能为您后续的选型替代提供专业建议。让这颗集高效、可靠、紧凑于一身的MOSFET，成为您优化设计、赢得市场的秘密武器。

• 型号:ZVNL110GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在为寻找一颗驱动简单、高效节能的开关器件而费神吗？ZVNL110GTC正是为您而来！这颗N沟道MOSFET，仅需5V至10V的低压驱动，就能让您轻松控制高达100V、600mA的负载通路，其低至3欧姆的导通电阻，能显著减少功率损耗，提升系统整体效率。

它采用热性能优异的SOT-223封装，在紧凑的尺寸下实现了良好的散热能力，非常适合空间受限的现代电子设备。无论是用于电源管理中的负载开关、DC-DC转换，还是信号路径的切换与调制，ZVNL110GTC都能以出色的可靠性和稳定性，确保您的电路流畅运行，助您简化设计，加速产品上市。