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MMBZ5250BTS-7-F的图片

MMBZ5250BTS-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER ARRAY 20V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,MMBZ5250BTS-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MMBZ5250BTS-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定与高效保护的电子设计中,您是否曾为电路中的电压尖峰、浪涌或静电放电(ESD)问题而困扰?当精密元件面临过压威胁时,一个可靠、紧凑且性能卓越的保护方案,往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍来自Diodes Incorporated的明星产品MMBZ5250BTS-7-F,这颗集成了三路独立20V齐纳二极管的阵列芯片,正是您电路安全的“守护神”。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器节点或通信模块的核心板上,空间寸土寸金,而信号完整性要求却分毫不能妥协。MMBZ5250BTS-7-F以其微小的SOT-363封装,轻松解决了这一矛盾。它能在-65°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作,为您的数据线、I/O端口或电源轨提供精准的20V箝位保护,±5%的严格容差确保了保护阈值的一致性,让您的设计免受电压漂移的困扰。其低至25欧姆的动态阻抗和微安级的反向漏电流,意味着它在提供坚固保护的同时,对电路正常工作的影响微乎其微,真正实现了“隐形守护”。

无论是智能手机的USB接口、工业控制器的传感器输入,还是车载信息娱乐系统的数据总线,过压事件无处不在。MMBZ5250BTS-7-F的三路独立结构,让您能够用一颗芯片同时保护多达三条关键线路,不仅大幅节省了PCB布局空间,更简化了物料清单(BOM)和供应链管理。选择它,就是选择了一份来自国际知名制造商Diodes Incorporated的品质承诺,其“有源”的产品状态保证了长期稳定的供应。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴,专业的DIODES芯片代理能为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。让这颗高效、可靠的保护芯片,成为您提升产品可靠性、赢得市场信任的坚实基石。

  • 型号:MMBZ5250BTS-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
  • 描述:DIODE ZENER ARRAY 20V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 配置:3 个独立式
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取MMBZ5250BTS-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为多路信号线的电压保护方案占用过多板载空间而烦恼吗?MMBZ5250BTS-7-F为您带来革命性的解决方案!这颗来自Diodes Incorporated的齐纳二极管阵列,在一个微小的SOT-363封装内集成了三路独立的20V保护通道,让您轻松实现高效、紧凑的多线路过压防护。

它凭借±5%的高精度容差和仅25欧姆的最大动态阻抗,确保电压箝位精准而迅速,有效吸收浪涌能量,保护后端精密元器件。其宽广的工作温度范围(-65°C ~ 150°C)和低至100nA的反向漏电流特性,让您的设备无论是在严寒酷暑的户外环境,还是在追求低功耗的便携应用中,都能获得稳定可靠的持续守护。选择它,就是为您的设计注入一份安心与高效。

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