DMPH6050SK3Q-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高耐压、大电流和超低导通电阻的P沟道MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在DMPH6050SK3Q-13。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，以其60V的漏源电压和高达23.6A（Tc）的连续漏极电流能力，为您打开了高效功率开关的新世界大门。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

无论是需要精密控制的工业电机驱动，还是对空间和效率都极为苛刻的消费类电子快充模块，DMPH6050SK3Q-13都能游刃有余。其P沟道设计简化了高端驱动电路，让您的负载开关、电源路径管理和DC-DC转换器设计变得更加简洁高效。在电池供电的设备中，它超低的导通电阻（仅50毫欧@7A,10V）意味着更少的能量以热量的形式白白浪费，直接转化为更长的续航时间。而对于服务器电源或通信设备中的热插拔与OR-ing电路，其强大的电流处理能力和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ）确保了系统在严苛环境下的绝对可靠与稳定。

选择DMPH6050SK3Q-13，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它采用成熟的TO-252（DPAK）表面贴装封装，在提供出色散热性能的同时，也兼顾了生产制造的便利性。其优化的栅极电荷（Qg最大值25nC）和输入电容特性，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步提升了整体系统的频率响应和效率。这意味着您的产品不仅能“跑得快”，还能“跑得稳”、“跑得久”。要获得这颗性能标杆芯片的正品保障与专业技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES授权代理进行采购，确保您的供应链顺畅无忧，让创新想法毫无后顾之忧地转化为市场领先的产品。

• 型号:DMPH6050SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta），23.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1377 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能扛大任的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMPH6050SK3Q-13就是您理想的解决方案。它集60V高耐压、23.6A大电流承载能力和低至50毫欧的导通电阻于一身，旨在让您的电源开关电路效率飙升，发热骤降。

这颗芯片能为您轻松驾驭负载开关、电机控制及DC-DC转换等关键任务。其优异的开关特性与TO-252封装带来的散热优势，让您在设计高性能、高可靠性的产品时更加得心应手，大幅提升整体系统的能效与稳定性。