DMN6140LQ-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和空间占用而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMN6140LQ-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小型化功率开关的可能性。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、实现高效稳定运行的秘密武器。

想象一下，在您的便携式设备、电源管理模块或电机驱动电路中，一颗体积小巧却拥有60V耐压和1.6A持续电流能力的开关，能带来怎样的改变。它极低的140毫欧导通电阻，意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，直接转化为更长的续航时间或更低的发热量。无论是用于负载开关、DC-DC转换，还是作为信号控制通路中的关键元件，DMN6140LQ-13都能以出色的效率响应您的每一次指令。

选择DMN6140LQ-13，就是选择了一份可靠与高效的承诺。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，从消费电子到工业控制，适应性极强。SOT-23的超紧凑封装，为您宝贵的PCB板节省出更多空间，让设计更加灵活自由。同时，优化的栅极电荷和输入电容特性，使得它易于驱动，能够实现快速开关，进一步提升系统整体响应速度。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，可以通过专业的DIODES代理商获取这颗明星产品，为您的项目注入强劲动力。

总而言之，DMN6140LQ-13集高性能、高可靠性与高集成度于一身，是工程师应对现代电子设计挑战的智慧之选。它让高效能设计变得触手可及，帮助您的产品在市场中脱颖而出。立即体验它带来的变革，开启能效新篇章。

• 型号:DMN6140LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找那颗能兼顾性能与尺寸的完美开关吗？DMN6140LQ-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和1.6A的持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅140毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设计更高效、更凉爽。

它采用经典的SOT-23封装，体积小巧，却能轻松应对从便携设备到电源模块的各种应用场景。优化的驱动特性（栅极电荷仅8.6nC）让您能够轻松实现快速、干净的开关控制，提升系统整体响应速度。选择它，就是为您的产品选择了可靠的能效基石。