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MMBZ5223BT-7-F的图片

MMBZ5223BT-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 2.7V 150MW SOT523
原厂封装:封装:SOT-523
优势价格,MMBZ5223BT-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MMBZ5223BT-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,MMBZ5223BT-7-F就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,以其卓越的2.7V稳压性能和±5%的严格容差,为您的设计注入坚如磐石的可靠性。它不仅仅是一个元件,更是您产品稳定运行的守护者,能将瞬态电压尖峰和意外过压牢牢钳制,确保核心电路在复杂环境中安然无恙。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或精密的模拟前端电路中,空间极其宝贵,性能却不容妥协。DIODES代理商为您提供的MMBZ5223BT-7-F,正是为此类场景而生。其超紧凑的SOT-523封装,让它在高密度的PCB板上游刃有余,轻松实现空间优化。无论是为微处理器内核提供精准的参考电压,还是在数据线路上提供ESD保护,它都能以极低的30欧姆动态阻抗和仅为75A的反向泄漏电流,实现高效、低功耗的稳压与防护,让您的设备在从-65°C到150°C的严苛温度范围内始终保持精准与稳定。

选择MMBZ5223BT-7-F,就是选择了一份经得起考验的安心。其150mW的功率处理能力,足以应对大多数低功耗场景的挑战,而900mV@10mA的低正向压降特性,则进一步提升了整体能效。在竞争激烈的市场中,产品的可靠性和一致性是赢得客户信任的关键。这颗芯片的有源状态和成熟工艺,保证了供应的稳定与品质的如一,让您的量产过程顺畅无阻。当您需要一款能精准锚定2.7V、体积小巧且性能强悍的稳压或保护器件时,MMBZ5223BT-7-F无疑是您最明智、最值得投资的选择,它将为您的产品价值增添坚实而亮眼的一笔。

  • 型号:MMBZ5223BT-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 2.7V 150MW SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:75 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • 想获取MMBZ5223BT-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一款能精准锁定电压、守护电路安全的微型卫士吗?MMBZ5223BT-7-F正是这样一颗高效能的齐纳二极管。它能为您提供稳定的2.7V基准电压,容差精细至±5%,有效抑制电压波动,让您的敏感电路远离过压威胁,工作得更加平稳可靠。

这颗芯片采用超小型SOT-523表面贴装封装,让您能在极其有限的空间内轻松布局,完美适配便携设备和高密度模块。其最大仅30欧姆的动态阻抗和低至150mW的功耗,意味着它能高效工作而不带来负担。无论是在严寒还是高温(-65°C ~ 150°C)环境下,它都能保持稳定性能,是提升产品耐用性和一致性的秘密武器。

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