DMTH4007LK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当40V的电压平台遇上高达70A的峰值电流需求，选择一颗性能与可靠性兼备的MOSFET，往往是决定产品成败的关键。现在，答案已经揭晓DMTH4007LK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率器件，正是为应对严苛挑战而生的高效解决方案。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器或电机驱动模块中，每一瓦的功率损耗都意味着效率的降低和热管理的压力。DMTH4007LK3-13以其低至7.3毫欧的导通电阻，在10V驱动下轻松应对20A电流，显著降低了导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。其高达2.6W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了即使在极端环境下也能稳定输出，为工业自动化、消费电子电源适配器、电动工具等应用注入了强劲而可靠的心脏。

为何众多工程师在众多选择中青睐它？这不仅源于其卓越的电气参数，更在于它带来的综合价值提升。仅29.1nC的低栅极电荷与优化的开关特性，共同助力实现更高频率的开关操作，让电源设计可以朝着更小体积、更高功率密度的方向迈进。TO-252（DPAK）封装兼顾了优异的散热性能与自动化贴装的生产便利性。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，专业的DIODES代理商将成为您值得信赖的伙伴，确保这颗高性能芯片能顺利集成到您的下一代创新产品中。选择DMTH4007LK3-13，不仅是选择了一个组件，更是选择了一份让产品脱颖而出的性能保障与信心。

• 型号:DMTH4007LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.8A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1895 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMTH4007LK3-13正是您期待的答案。这颗40V N沟道MOSFET拥有16.8A（Ta）/70A（Tc）的强大电流处理能力，配合极低的7.3毫欧导通电阻，能显著减少开关及导通损耗，直接提升您的系统整体能效，让设备运行更凉爽、更节能。

它专为要求苛刻的开关应用而优化。其低栅极电荷和快速的开关特性，让您能轻松设计出更高频率、更紧凑的电源模块或电机驱动电路。无论是消费类快充、工业电源还是电动工具，它都能提供稳定可靠的功率开关解决方案，助您高效实现产品性能升级。