MMBF170Q-7-F

在追求极致能效与稳定性的电子设计中，您是否曾为寻找一款兼具高性能与小尺寸的开关解决方案而困扰？现在，答案就在眼前。MMBF170Q-7-F，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足现代紧凑型设备对高效功率管理的严苛需求而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力的关键引擎，以其卓越的60V耐压和500mA连续电流能力，为您的设计注入澎湃而精准的驱动力。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密传感器模块中，空间是何等宝贵。DIODES一级代理为您带来的MMBF170Q-7-F，采用经典的SOT-23-3超小型封装，能够轻松融入最紧凑的PCB布局，为产品小型化扫清障碍。其低至5欧姆的导通电阻（在10V Vgs下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。无论是用于负载开关、电源路径管理，还是电机驱动等脉冲控制场合，它都能以迅捷的响应和稳定的表现，确保每一次开关动作都干净利落。

选择MMBF170Q-7-F，就是选择了一份从容与安心。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够从容应对各种恶劣环境挑战，从工业自动化到消费电子，表现始终如一。其优化的栅极驱动特性（Vgs(th)最大3V），与常见的微控制器GPIO电平完美匹配，让您的电路设计更加简化，无需复杂的驱动电路，即可实现高效控制。这不仅仅降低了BOM成本和设计复杂度，更缩短了您的产品上市时间。当您需要一款在性能、尺寸和可靠性上都不妥协的MOSFET时，MMBF170Q-7-F无疑是您最值得信赖的伙伴，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:MMBF170Q-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路中的开关效率烦恼吗？MMBF170Q-7-F正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和500mA的连续电流能力，能轻松胜任各种中低压场景下的负载切换与功率控制任务，让您的设计动力十足又安全可靠。

它采用微小的SOT-23-3封装，为您节省宝贵的电路板空间，特别适合便携式和高度集成的设备。其低导通电阻和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了高效能转换与出色的环境适应性，无论是应对瞬间脉冲还是持续工作，都能让您的系统运行更稳定、更节能。