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MBR3045CTF-G1的图片

MBR3045CTF-G1

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ARR SCHOT 45V 15A TO220F3
原厂封装:封装:TO-220F-3
优势价格,MBR3045CTF-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MBR3045CTF-G1的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致效率的电源设计中,您是否还在为整流环节的损耗和发热问题而烦恼?当传统二极管成为系统性能提升的瓶颈,一款兼具低损耗、高可靠性的解决方案,正是您突破设计极限的关键。MBR3045CTF-G1的到来,正是为了终结这种妥协。它不仅仅是一个肖特基二极管阵列,更是您提升产品竞争力的效率引擎,让每一瓦电力都得到更充分的利用。

想象一下,在服务器电源、工业电机驱动或高功率密度适配器中,系统持续运行,热量不断累积。传统的整流方案可能因为过高的正向压降和反向恢复损耗,导致效率低下,甚至需要庞大的散热设计。而MBR3045CTF-G1凭借其肖特基技术,将每二极管高达15A的平均整流电流下的正向压降(Vf)控制在惊人的700mV,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。其45V的最大反向电压和快速恢复特性(≤500ns),确保了在开关电源等高频应用中的稳定与高效,让您的设备在严苛环境下也能保持冷静与可靠。无论是通信基站的不间断供电,还是新能源领域的功率转换,它都能游刃有余,成为系统坚固的“整流心脏”。

选择MBR3045CTF-G1,就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用1对共阴极的TO-220F封装,不仅便于安装和散热管理,其宽泛的工作结温范围(-65°C ~ 150°C)更是为各种极端环境提供了坚实的保障。极低的反向泄漏电流(仅100A @ 45V)进一步减少了待机功耗,这对于追求绿色节能的现代电子产品至关重要。当您需要稳定可靠的供应链和专业技术支持时,选择与权威的DIODES芯片代理合作,就能轻松获得这颗高性能芯片以及全方位的服务,让您的产品从设计到量产都畅通无阻。它不仅仅是一个元件,更是您实现更高效率、更小体积、更强可靠性的信心所在,立即采用MBR3045CTF-G1,为您的下一个明星产品注入高效动能!

  • 型号:MBR3045CTF-G1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220F-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARR SCHOT 45V 15A TO220F3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 15 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 45 V
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220F-3
  • 想获取MBR3045CTF-G1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源模块的效率提升而绞尽脑汁吗?MBR3045CTF-G1就是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的45V肖特基二极管阵列,专为高效整流而生,其每二极管15A的强大电流处理能力,配合仅700mV@15A的超低正向压降,能显著降低导通损耗,让您的电源设计轻松实现更高的能效等级,同时减少散热负担。

它采用快速恢复技术,响应速度优异,非常适合开关电源、电机驱动等高频应用场景,确保系统运行既快速又稳定。TO-220F的通孔封装坚固可靠,便于安装和散热,宽达-65°C至150°C的结温工作范围,让您的产品无惧严寒酷暑的挑战。选择MBR3045CTF-G1,就是选择了一个让设计更简单、让性能更出众的可靠伙伴。

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