ZVN2110GTC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动负载、同时兼顾成本与可靠性的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍来自Diodes Incorporated的明星产品ZVN2110GTC。这款N沟道MOSFET以其100V的耐压能力和高达500mA的连续漏极电流，为您的小功率开关应用带来了前所未有的平衡与信心。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理模块或智能家居传感器中，ZVN2110GTC正扮演着能量“智能闸门”的角色。它凭借仅需10V驱动电压即可实现低导通电阻的特性，让您的系统开关动作干净利落，有效减少了功率损耗和热量产生。无论是控制微型电机的启停，管理LED灯带的明暗，还是在DC-DC转换器中作为高效的同步整流开关，它都能游刃有余。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从严寒到酷热的各种严苛环境下，您的产品依然稳定如初，大大提升了终端应用的适应性和耐用性。

选择ZVN2110GTC，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它采用经典的SOT-223封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB板空间，让您的设计更加纤薄精巧。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和卓越的性能使其成为许多经典和长生命周期项目的理想之选。为了确保您能稳定、便捷地获取这款优质芯片，我们强烈推荐您通过值得信赖的DIODES中国代理进行采购，他们不仅能提供正品保障，还能为您带来专业的技术支持和供应链服务。让ZVN2110GTC成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效、可靠的能量控制新篇章。

• 型号:ZVN2110GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN2110GTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、精准控制500mA电流的微型开关吗？ZVN2110GTC正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET就像一个高效的能量指挥官，仅需10V的驱动信号，就能以低至4欧姆的导通电阻，让电流顺畅通过，极大降低您的系统功耗与发热。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内实现强大的开关功能。无论是用于电源管理、负载开关还是信号切换，ZVN2110GTC都能让您的设计更简洁、运行更高效、性能更稳定。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠核心。