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MBR10200CTF-G1的图片

MBR10200CTF-G1

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ARR SCHOT 200V 5A TO220F3
原厂封装:封装:TO-220F-3
优势价格,MBR10200CTF-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MBR10200CTF-G1的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致效率的电源设计中,您是否曾因整流器件的功耗和发热问题而困扰?当系统需要处理高达200V的反向电压时,传统的解决方案往往在效率和温升之间难以平衡。现在,这一切有了全新的答案MBR10200CTF-G1,这颗来自Diodes Incorporated的200V肖特基整流器阵列,正是为打破这种困境而生。它不仅仅是一个元件,更是您提升整机性能、降低系统复杂度的关键钥匙。

想象一下,在服务器电源、工业电机驱动、新能源逆变器或高功率LED照明驱动这些严苛的应用场景中,系统需要承受持续的电流冲击和电压应力。MBR10200CTF-G1凭借其肖特基技术内核,将每二极管5A的平均整流能力与低至950mV@5A的正向压降完美结合,这意味着在相同的电流下,它能显著减少导通损耗,将更多电能转化为有效输出,而非无谓的热量。其快速恢复特性(≤500ns)确保了在高频开关电路中也能保持出色的响应速度,有效抑制电压尖峰和振铃,让您的电源拓扑运行得更稳定、更安静。

选择MBR10200CTF-G1,就是选择了一份可靠与高效的保障。其1对共阴极的紧凑阵列设计,在TO-220F封装内集成了双路高性能二极管,不仅节省了宝贵的PCB空间,更简化了布局和装配流程。高达150°C的最大结温,赋予了它卓越的热稳健性,即使在环境恶劣或散热受限的条件下,也能持续稳定工作。更低的功耗直接带来了更低的温升,这不仅能延长元件自身寿命,更能降低对周边器件的热应力,从而提升整个系统的长期可靠性。当您需要确保供应链稳定和产品品质时,通过正规的DIODES授权代理进行采购,是获得原装正品和完整技术支持的最优路径。

从提升百分之几的效率到降低系统整体温升,每一个微小的改进都在累积成产品的核心竞争力。MBR10200CTF-G1正是这样一款能够为您的设计带来实质性价值提升的器件。它用扎实的参数和经过验证的性能,帮助工程师将创意转化为更高效、更可靠、更具市场竞争力的产品。当您下一次为电源方案选型时,不妨将这颗高效能肖特基阵列纳入优先考量,它很可能就是点亮您设计灵感的那个关键拼图。

  • 型号:MBR10200CTF-G1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220F-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARR SCHOT 200V 5A TO220F3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 5 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 A @ 200 V
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220F-3
  • 想获取MBR10200CTF-G1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源模块的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗?MBR10200CTF-G1肖特基整流器阵列,正是您提升能效、简化设计的得力助手。它集成了双路高性能肖特基二极管,以低至950mV@5A的正向压降,显著降低导通损耗,让您的设备运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么?它让您轻松驾驭高达200V的反向电压和每路5A的持续电流,其快速的恢复速度完美适配高频开关电源,有效提升系统响应与稳定性。采用坚固的TO-220F通孔封装和高达150°C的结温能力,确保在严苛环境下依然可靠耐用,是工业电源、电机驱动、新能源转换等应用的理想选择。

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