DMP10H400SK3-13

当您的电源管理设计面临效率瓶颈时，是否曾渴望一颗既能承载高功率，又能保持极低损耗的可靠“心脏”？今天，我们为您带来的DMP10H400SK3-13，正是这样一款能够彻底改变您对P沟道MOSFET认知的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂性的关键赋能者。

想象一下，在紧凑的工业电源模块、高效的电机驱动电路或是要求严苛的汽车电子系统中，您需要一颗能够稳定工作在100V高压下、持续通过9A电流的开关器件。DMP10H400SK3-13凭借其P沟道设计，为您提供了更简洁的驱动方案，无需复杂的电平转换电路，直接从逻辑电平控制高压侧负载成为现实。其低至240毫欧的导通电阻（在5A，10V条件下），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端，直接转化为您产品的性能优势与更长的运行时间。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它能在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作，无论是严寒的户外环境还是设备内部的热点区域，都能确保系统可靠运行。TO-252-3（DPAK）的表面贴装封装，兼顾了优异的散热能力与PCB空间利用率，让您的设计在功率密度和可靠性上取得完美平衡。当您需要稳定、高品质的货源时，选择与值得信赖的DIODES一级代理合作，是确保项目顺利推进、获得原厂技术支持的明智之举。

为何众多工程师在面临高压侧开关选型时，会最终锁定DMP10H400SK3-13？答案在于它带来的综合价值提升。它简化了您的电路设计，降低了BOM成本和布板难度；它提升了系统的整体效率，有助于满足日益严格的能效标准；其坚固耐用的特性，更是为产品赢得了市场口碑和用户信赖。选择它，就是选择了一种更高效、更可靠、更面向未来的设计哲学。

• 型号:DMP10H400SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高压侧开关的驱动复杂和效率损失而烦恼吗？DMP10H400SK3-13这颗100V/9A的P沟道MOSFET，就是为您简化设计、提升能效而生的利器。它让您无需额外电平转换电路，即可轻松用逻辑信号控制高压负载，大幅精简您的电路板布局。

其卓越的240毫欧低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，将更多能量高效传递给您的设备，无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，都能让系统运行更凉爽、更持久。高达42W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下稳定可靠，是您打造高性能、高可靠性产品的坚实基石。