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FMMT5179TA的图片

FMMT5179TA

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,FMMT5179TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FMMT5179TA的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致信号清晰度的射频世界里,您是否还在为高频应用中的噪声干扰和信号衰减而烦恼?今天,我们为您带来一个经过市场验证的经典射频解决方案FMMT5179TA。这颗来自Diodes Incorporated的NPN射频晶体管,虽然已进入停产状态,但其卓越的性能和广泛的适用性,使其成为库存充足时期备货的绝佳选择,至今仍在许多对稳定性和成本有要求的项目中发挥着关键作用。

想象一下,在无线通信模块、高频放大电路或便携式设备的射频前端,FMMT5179TA正以其高达2GHz的跃迁频率和仅4.5dB的优异噪声系数,默默守护着信号的纯净与强大。它就像一位经验丰富的信号卫士,能有效放大微弱的高频信号,同时将不必要的噪声压制到最低,确保您的设备在复杂的电磁环境中依然能实现清晰、稳定的数据传输。无论是消费电子还是专业的通信设备,它都能轻松融入,提升整体系统的射频性能。

选择FMMT5179TA,就是选择了一份经过时间考验的可靠。其SOT-23-3的超小型封装,为您的PCB设计节省了宝贵的空间,让产品更加紧凑。高达15dB的增益和330mW的功率处理能力,意味着它能以更小的功耗驱动更强的信号,直接提升终端产品的能效比和续航表现。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)则赋予了它应对严苛环境挑战的底气,确保设备在各种条件下稳定运行。如果您正在寻找一款性能均衡、性价比突出的射频晶体管来优化现有设计或开发经典产品,通过可靠的DIODES代理渠道获取FMMT5179TA,无疑是连接卓越性能与项目成功之间的智慧桥梁。

  • 型号:FMMT5179TA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):12V
  • 频率 - 跃迁:2GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):4.5dB @ 200MHz
  • 增益:15dB
  • 功率 - 最大值:330mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 3mA,1V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取FMMT5179TA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能同时兼顾高频性能与设计简洁性的射频放大核心吗?FMMT5179TA正是为您而来。这颗NPN射频晶体管,凭借其高达2GHz的工作频率和出色的15dB增益,能轻松将您设备中的微弱射频信号进行高效、低噪声的放大,让您的无线连接更稳定、数据传输更迅捷。

它采用经典的SOT-23-3微型封装,能极大地节省您的电路板空间,让产品设计更加灵活小巧。同时,其优异的噪声系数(典型值4.5dB @ 200MHz)意味着它能为您过滤掉更多干扰,确保信号纯净度。无论是用于无线模块、射频前端还是各类高频放大电路,FMMT5179TA都能以可靠的性能,助您轻松提升产品的核心竞争力。

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