DMT67M8LCGQ-7

在追求极致能效与可靠性的汽车电子设计中，您是否还在为开关损耗、散热和空间布局而烦恼？现在，一颗划时代的功率器件将彻底改变您的设计体验。我们隆重推出DMT67M8LCGQ-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为应对严苛的汽车级应用挑战而生。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的强大引擎。

想象一下，在您的车载充电器(OBC)、DC-DC转换器或电机驱动模块中，需要一颗能够承受高电压、大电流冲击，同时保持极低导通损耗的核心开关。DMT67M8LCGQ-7正是为此场景量身打造。其60V的漏源电压和高达64.6A（Tc）的连续漏极电流能力，为48V轻混系统、电池管理系统(BMS)及各类辅助动力单元提供了充沛的能量通道。更令人振奋的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的5.7毫欧，这意味着在频繁开关过程中，由导通产生的热量被大幅抑制，系统整体温升得到有效控制，从而延长了周边元器件的寿命，也让您的散热设计变得更加轻松。

选择DMT67M8LCGQ-7，就是选择了一份面向未来的保障。它严格遵循AEC-Q101车规标准，能够在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，无惧严寒酷暑的环境考验。其采用的8DFN（V-DFN3333-8）封装，不仅实现了优异的散热性能，其紧凑的占板面积更是为日益小型化的汽车电子模块节省了宝贵空间。无论是提升功率密度，还是优化布板效率，它都能助您一臂之力。我们作为值得信赖的DIODES一级代理，不仅为您提供原装正品，更能带来专业的技术支持和灵活的供应链服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。让DMT67M8LCGQ-7成为您下一款明星产品的“心脏”，驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMT67M8LCGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的车规级MOSFET吗？DMT67M8LCGQ-7就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达64.6A的电流承载能力，专为汽车电子中的严苛应用而设计。

它的核心价值在于极致的效率。仅5.7毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。同时，其优化的栅极电荷特性有助于提升开关速度，减少驱动损耗。结合紧凑的8DFN封装和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，它能让您轻松应对空间限制与复杂环境，为车载充电、DC-DC转换等应用注入强劲而可靠的动力。