BSS138K-7

您是否正在为空间受限的便携设备寻找一款既能高效控制信号，又能最大限度节省PCB面积的N沟道MOSFET？想象一下，在智能手环的电源管理模块中，或在蓝牙耳机的充电保护电路中，一颗仅有SOT-23封装大小的芯片，正以50V的耐压和仅3.5欧姆的低导通电阻，默默守护着系统的稳定与高效。这正是BSS138K-7为您带来的核心价值在方寸之间，释放强大的控制力。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，其应用场景远不止于此。无论是需要精密信号切换的消费类电子主板，还是对功耗极其敏感的物联网传感器节点，它都能凭借其低至1.5V的阈值电压和极低的栅极电荷，实现快速、干净的开关动作。这意味着您的产品响应更迅捷，待机功耗更低，整体能效表现将脱颖而出。在-55°C到150°C的宽温范围内稳定工作，更让它能从容应对户外设备、车载电子等严苛环境，可靠性毋庸置疑。

选择BSS138K-7，就是选择了一种经过市场验证的高性价比解决方案。它不仅仅是一个参数优秀的晶体管，更是您提升产品竞争力的可靠伙伴。其表面贴装设计和紧凑的封装，能大幅简化您的生产流程，降低组装成本。当您需要稳定可靠的供应链支持时，通过正规的DIODES代理进行采购，能确保您获得原装正品和及时的技术服务，让您的产品开发与量产之路更加顺畅。让这颗小巧而强大的芯片，成为您下一个爆款设计中不可或缺的“高效开关”。

• 型号:BSS138K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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在追求极致紧凑与高效的设计中，您是否渴望一颗能轻松驾驭信号切换与负载控制的“全能选手”？BSS138K-7正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有50V的漏源电压和310mA的连续漏极电流，让您能自信地将其应用于各种低压控制与驱动场景，无论是切换传感器信号还是管理小型负载，都游刃有余。

它的魅力在于极致的易用性与高效能。仅需10V的驱动电压即可实现低至3.5欧姆的导通电阻，这意味着更低的导通损耗和更少的发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，确保了超快的开关速度，能显著提升电路的响应效率，特别适合需要高频开关的应用。采用标准的SOT-23封装，让您能轻松布局，最大化节省宝贵的PCB空间。