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DXT2011P5-13的图片

DXT2011P5-13

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
原厂封装:封装:PowerDI 5
优势价格,DXT2011P5-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DXT2011P5-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求更高能效与更紧凑设计的电子世界中,您是否正在寻找一颗能够同时兼顾高功率、高频率与卓越可靠性的开关解决方案?答案或许就藏在DXT2011P5-13这颗性能卓越的NPN功率晶体管之中。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手,以其高达100V的耐压和6A的持续电流能力,为您的设计注入强劲动力。

想象一下,在您的开关电源、电机驱动或高效照明系统中,需要一颗核心开关器件来应对频繁的启停和高负载切换。DXT2011P5-13正是为此而生。其极低的Vce饱和压降(仅220mV)意味着在导通时能量损耗被大幅削减,直接转化为更低的发热和更高的整体效率。配合130MHz的跃迁频率,它能轻松驾驭高速开关应用,确保信号响应迅速、波形干净,让您的系统运行如丝般顺滑。无论是工业自动化设备中的精密控制,还是消费电子中的高效电源转换,它都能稳定可靠地扮演关键角色。

选择DXT2011P5-13,就是选择了一份从容与信心。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)赋予了它无与伦比的环境适应性,从酷寒到高温,性能始终如一。采用先进的PowerDI5表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,更优化了散热路径,让3.2W的最大功率得以充分发挥。这意味着您的产品可以设计得更轻薄、更紧凑,同时保持出色的散热表现和长期稳定性。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时,我们的DIODES中国代理团队随时待命,为您提供从选型到量产的全方位服务,确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中完美兑现。

  • 型号:DXT2011P5-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI 5
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):100 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):220mV @ 500mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大值:3.2 W
  • 频率 - 跃迁:130MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:PowerDI 5
  • 供应商器件封装:PowerDI 5
  • 想获取DXT2011P5-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为开关电路的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗?让DXT2011P5-13来为您解决!这颗来自Diodes Incorporated的NPN功率晶体管,集100V高耐压与6A大电流能力于一身,能轻松担当起您系统中核心开关或驱动放大的重任。

它最突出的价值在于极低的导通损耗,其Vce饱和压降在5A大电流下也仅为220mV,这意味着更少的能量以热量形式浪费,让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。同时,高达130MHz的跃迁频率确保了它在高速开关场合下响应迅捷,输出干净。采用节省空间的PowerDI5封装,并支持-55°C至150°C的严苛工作温度,让您能够设计出更紧凑、更可靠、适应范围更广的终端产品。

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