DMTH8008LPS-13

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的导通损耗和散热问题而困扰？当系统需要处理高达91A的连续电流时，每一个毫欧的电阻降低都意味着显著的效率提升和热量减少。现在，DMTH8008LPS-13的到来，正是为了终结这种妥协。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其惊人的7.8mΩ超低导通电阻（@10V Vgs），重新定义了80V电压等级下的功率处理标准，让您的设计不仅强大，而且冷静高效。

想象一下，在服务器电源、通信基站的高密度电源模块中，或者在电动工具、无人机电池管理系统的核心位置，能量需要被快速、精准地控制和分配。DMTH8008LPS-13正是为这些严苛场景而生。其80V的漏源电压和高达91A（Tc）的连续电流能力，为高功率DC-DC转换器、电机驱动和负载开关应用提供了坚实的基石。PowerDI5060-8的紧凑封装，完美适配现代电子设备对空间寸土寸金的要求，让您在有限的PCB面积上实现更大的功率密度。无论是应对工业环境中的温度波动，还是满足消费电子对长期可靠性的期待，其-55°C至175°C的宽广工作结温范围，都确保了系统在各种挑战下的稳定运行。

选择DMTH8008LPS-13，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计思路。极低的栅极电荷（41.2nC @10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关电源提升整体效率至关重要。同时，其优化的Vgs(th)特性确保了稳定可靠的开启。当您致力于打造更具市场竞争力的产品时，这样一颗在性能、尺寸和可靠性上取得完美平衡的芯片，无疑是您电路图中的关键胜负手。要获取这颗性能猛兽的正品保障与技术支持，请务必通过官方DIODES授权代理进行采购，为您的创新保驾护航。

• 型号:DMTH8008LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 91A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):91A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8mOhm @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2345 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又能保持电路“冷静”的核心开关器件吗？DMTH8008LPS-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有80V的耐压和高达91A的连续电流处理能力，而其最耀眼之处在于仅7.8mΩ的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，在提供强大功率的同时节省了宝贵的电路板空间。无论是用于构建高效的DC-DC转换器、驱动电机，还是作为关键的负载开关，DMTH8008LPS-13都能让您的设计轻松应对高功率挑战。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），进一步确保了系统在各种应用环境下的高效与可靠运行，是提升产品性能与竞争力的得力之选。