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DMWSH120H18HM4

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：SIC MOSFET BVDSS: u003e1000V TO247-4
原厂封装：封装:TO-247-4
优势价格，DMWSH120H18HM4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMWSH120H18HM4的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMWSH120H18HM4
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-247-4
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SIC MOSFET BVDSS: u003e1000V TO247-4
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 75A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.4V @ 37mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:158 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4206 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-4
  • 封装/外壳:TO-247-4
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