DMTH62M8SPS-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高电压冲击，又能保持低导通损耗的MOSFET而苦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMTH62M8SPS-13。这款来自Diodes Incorporated的杰出产品，以其41V至60V的宽范围击穿电压（BVDSS）和先进的POWERDI506封装技术，正在重新定义中压功率开关的性能标杆。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键钥匙。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器内部，或在要求严苛的电机驱动电路中，能量需要被高效、精准地控制与传递。DMTH62M8SPS-13正是为此而生。其卓越的电气特性确保了在开关过程中更低的能量损耗，这意味着您的终端设备无论是不断电系统、工业电源，还是新兴的电动工具与汽车辅助系统都能获得更长的运行时间、更低的发热量以及更稳定的性能表现。在空间受限的现代设计中，其精巧的封装让布局更加灵活，帮助工程师释放宝贵的PCB空间，为创新功能留出更多可能。

选择DMTH62M8SPS-13，就是选择了一份来自全球知名半导体制造商Diodes Incorporated的品质承诺与性能保障。它代表了在可靠性、效率与成本之间取得的完美平衡。当您致力于打造下一款市场爆品时，这颗芯片将成为您最可靠的伙伴，助力您的产品在能效、尺寸和可靠性上全面领先。要获取这颗性能尖兵并享受专业的技术支持，请联系我们信赖的DIODES代理商，他们将为您提供从选型到供应的全程无忧服务。立即行动，让DMTH62M8SPS-13为您的设计注入强大动力！

• 型号:DMTH62M8SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？DMTH62M8SPS-13 MOSFET正是您期待的答案。它专为41V至60V的中压应用优化，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片采用先进的POWERDI506封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积。这意味着您不仅能轻松提升整机能效，还能优化PCB布局，为产品设计赢得更多空间。选择它，就是为您的项目选择了高效、可靠与紧凑的完美结合。