DMT47M2SFVW-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾低导通电阻、快速开关特性和出色热性能的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。答案就在DMT47M2SFVW-13之中。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其仅为7.5毫欧的超低导通电阻（Rds(On)），在10V驱动电压下轻松驾驭20A电流，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接为您带来更高的系统效率和更凉爽的运行温度。

无论是需要高效DC-DC转换的服务器电源、不断追求轻薄长续航的笔记本电脑，还是对可靠性要求严苛的工业电机驱动和汽车辅助系统，DMT47M2SFVW-13都能完美融入。其40V的漏源电压（Vdss）为各类中低压应用提供了充裕的安全余量，而高达49.1A（Tc）的连续漏极电流能力，则确保了即使在峰值负载下也能稳定输出。更值得一提的是其PowerDI3333-8封装，在极其紧凑的占板面积内实现了卓越的散热性能，最大功率耗散可达27.1W（Tc），让您的产品设计在小型化的道路上不再为散热妥协。

选择DMT47M2SFVW-13，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它不仅仅是一个参数出色的半导体器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键伙伴。其快速的开关特性（低至12.1nC的栅极电荷）有助于提高开关频率，从而允许使用更小、更便宜的被动元件。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，让它能够从容应对各种恶劣环境挑战。当您致力于打造下一代高效能电子产品时，与可靠的DIODES一级代理合作，确保正品供应与技术支持，将是您项目成功的重要基石。让DMT47M2SFVW-13成为您电路中的能量枢纽，释放每一瓦特的全部潜力。

• 型号:DMT47M2SFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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您正在寻找一颗能显著提升电源转换效率、同时保持设计紧凑的“核心动力”吗？DMT47M2SFVW-13正是您期待的答案。这颗40V N沟道MOSFET拥有惊人的7.5毫欧超低导通电阻，能极大降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

得益于其优化的栅极电荷和电容特性，它能实现干净利落的快速开关，让您轻松设计出更高频率、更小体积的电源模块。无论是处理持续的15.4A（Ta）电流，还是应对高达49.1A（Tc）的峰值需求，它都能稳定可靠地工作。其先进的PowerDI3333-8封装在节省宝贵PCB空间的同时，提供了卓越的热管理能力，确保性能在-55°C至150°C的严苛温度范围内始终如一。