DMTH6016LK3Q-13

当您的汽车电子系统需要在严苛环境下保持稳定高效，同时还要兼顾紧凑空间与成本控制时，什么样的功率开关解决方案才能满足这多重挑战？答案就藏在DMTH6016LK3Q-13这颗经过AEC-Q101车规认证的N沟道MOSFET之中。它不仅是一颗元件，更是您提升产品可靠性与性能的秘密武器。

想象一下，在引擎控制单元、LED车灯驱动或是电动座椅调节模块中，电流需要被精准、高效地控制。DMTH6016LK3Q-13凭借其60V的漏源电压和高达46.9A的连续漏极电流能力，为这些应用场景提供了坚实的动力基础。其极低的导通电阻，在10V驱动电压下仅为17毫欧，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的续航能力。无论是应对北方冬季的严寒还是南方夏季的酷暑，其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，都确保了性能始终如一，让您的设计无惧环境考验。

选择DMTH6016LK3Q-13，就是选择了一份从容与安心。它采用成熟的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，不仅散热性能优异，便于自动化生产，还能帮助您最大化利用宝贵的PCB空间。更低的栅极电荷和输入电容意味着它开关迅速，驱动简单，能有效减少开关损耗，提升整体系统的响应速度。对于追求卓越品质与可靠供应链的工程师而言，通过值得信赖的DIODES芯片代理获取这颗车规级芯片，是确保项目顺利推进、产品快速上市的关键一步。它将复杂的功率管理难题化繁为简，让您能够更专注于核心功能的创新与优化。

• 型号:DMTH6016LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta），46.9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能在汽车应用中扛起大梁的高效功率开关而烦恼吗？DMTH6016LK3Q-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达46.9A的强劲电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭各类车载电源管理、电机驱动和照明控制应用。得益于其快速的开关特性和优化的栅极电荷，您可以实现更精准的控制与更高的频率响应。同时，宽广的工作温度范围和车规级可靠性认证，为您产品的长期稳定运行提供了坚实保障，助您轻松应对严苛的汽车电子环境挑战。