DMN15H310SE-13

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和空间布局而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMN15H310SE-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为破解这些核心难题而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的AC-DC适配器、LED照明驱动或是小型电机控制电路中，一颗芯片需要同时承担高效率开关和可靠隔离的双重任务。DMN15H310SE-13凭借其150V的漏源电压和高达7.1A（Tc）的连续漏极电流能力，轻松应对这些中压、中电流场景的严苛要求。其低至310毫欧的导通电阻，意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体系统效率，让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，它都能无缝融入，成为电路中安静而强大的“心脏”。

选择DMN15H310SE-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能的完美结合。它采用成熟的SOT-223封装，在提供优异散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度设计。仅需5V的驱动电压即可实现低导通电阻，大大简化了驱动电路设计，降低了系统复杂性和成本。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在极端环境下依然稳定工作，为产品可靠性上了双重保险。要获得这颗性能出众的芯片及其完整的技术支持，我们推荐您通过正规的DIODES授权代理进行采购，确保产品原装正品和供应链的稳定无忧。立即行动，让DMN15H310SE-13为您的下一个创新项目注入强大动力！

• 型号:DMN15H310SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta），7.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在寻找一颗能平衡性能、效率与尺寸的MOSFET吗？DMN15H310SE-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有150V耐压和7.1A强劲电流输出能力，其核心魅力在于低至310毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动方案的整机效率。

它采用紧凑的SOT-223封装，让您在有限的板级空间内也能实现高性能布局。更令人惊喜的是，它仅需5V电压即可高效驱动，让您的电路设计更加简洁。无论是用于提升适配器能效，还是优化电机控制响应，DMN15H310SE-13都能让您轻松实现更高效、更可靠的产品设计目标。