DMTH6010LK3Q-13

当您的下一代汽车电子或工业电源设计面临效率与可靠性的双重考验时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与严苛环境的“心脏”？答案就在DMTH6010LK3Q-13。这不仅仅是一颗MOSFET，它是Diodes Incorporated为追求卓越的工程师们奉上的高性能解决方案，专为应对汽车级（AEC-Q101）应用的挑战而生。想象一下，在引擎控制单元、LED驱动或DC-DC转换器中，它如何以极低的导通电阻（仅8毫欧）和高达70A的脉冲电流处理能力，将能量损耗降至最低，让系统运行得更冷静、更持久。

它的舞台远不止于此。无论是需要频繁开关的电机驱动，还是对空间和散热极为敏感的紧凑型车载充电器，DMTH6010LK3Q-13都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了从冰天雪地到酷热引擎舱内的稳定表现。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升整个电源系统的频率和效率至关重要。当您在设计中选择它，您选择的是一份从容应对振动、温度冲击和长期可靠运行的信心。

为何众多领先厂商在关键项目中信赖它？因为价值体现在每一个细节。高达60V的漏源电压和14.8A的连续电流能力，为各种中压应用提供了充足的安全裕量。TO-252（DPAK）封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容成熟的自动化贴装工艺，助力您加速量产进程。更重要的是，通过值得信赖的DIODES中国代理，您可以获得稳定的供货、专业的技术支持以及完整的质量追溯保障，让您的产品从设计到市场都快人一步。选择DMTH6010LK3Q-13，就是选择将先进的半导体技术与稳健的供应链支持相结合，为您的产品注入超越同级的竞争力与生命力。

• 型号:DMTH6010LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.8A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:31W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能在严苛环境下依然保持高效、可靠的功率开关而烦恼吗？让DMTH6010LK3Q-13成为您设计的强大后盾。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达70A的脉冲电流能力，其核心魅力在于极低的8毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它专为汽车电子（AEC-Q101认证）和工业应用而优化，宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保其在极端温度下性能依然稳定。更低的栅极电荷助力实现高效快速的开关，轻松提升系统整体频率与响应速度。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的高性能与高可靠性，让设计挑战化为竞争优势。